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光刻掩模的静电放电损伤及其防护 被引量：2
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作者 管伟 larry levit 《中国集成电路》 2005年第10期90-94,89,共6页
半导体集成电路制造中,光刻工艺是整个制造过程中的核心技术。而光刻掩模(Reticle,Photomask)则为光刻技术中的最为关键的部件。随着半导体生产技术的不断提升,光刻掩模对静电放电敏感度也越来越高,如何防护光刻掩模避免遭受静电放电的... 半导体集成电路制造中,光刻工艺是整个制造过程中的核心技术。而光刻掩模(Reticle,Photomask)则为光刻技术中的最为关键的部件。随着半导体生产技术的不断提升,光刻掩模对静电放电敏感度也越来越高,如何防护光刻掩模避免遭受静电放电的损坏,已成为目前半导体集成电路制造中的一项挑战。 展开更多
关键词 静电放电敏感度 光刻掩模 防护 半导体生产技术 电损伤 集成电路制造 光刻技术 制造过程 光刻工艺
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