期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
高氮分压对碳热还原/氮化法合成氮化硅的影响 被引量：6
1
作者 万小涵 张广清 +2 位作者 john sharp Oleg Ostrovski 俞乐 《有色金属工程》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期9-12,共4页
碳热还原/氮化合成氮化硅在1450-1650℃、氮气分压700-1100kPa下进行。非晶二氧化硅与石墨粉末以n（C）/n（SiO2）=4.5比率混合、压片。样品中的氧、氮、碳含量通过LECO元素分析仪测得。反应物和生成物中各物质组成通过XRD定性分析。结... 碳热还原/氮化合成氮化硅在1450-1650℃、氮气分压700-1100kPa下进行。非晶二氧化硅与石墨粉末以n（C）/n（SiO2）=4.5比率混合、压片。样品中的氧、氮、碳含量通过LECO元素分析仪测得。反应物和生成物中各物质组成通过XRD定性分析。结果表明,通过增加氮气分压,氮化硅的稳定温度升高,二氧化硅的还原速率随着温度升高而变大。碳化硅的生成仍无法避免。与常压下的碳热还原/氮化反应一致,高压下的碳化硅和氮化硅的生成亦为连续反应。 展开更多
关键词 高压 Si3N4稳定性 连续反应
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部