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在再结晶多晶硅膜中制造合并3-D纵向双极-MOS器件
1
作者 j.c.sturm J.F.Gibbons 石广元 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1990年第2期14-16,共3页
本文研究了成形激光束再结晶多晶硅膜的少数载流子性质,在这种膜中成功地制造出纵向双极晶体管和一种3-D 合并纵向双极-MOS 器件,并提出了关于该器件的简单模型.横向晶体管的实验确定了p 型再结晶膜中少数载流子的扩散长度为4μm.使用... 本文研究了成形激光束再结晶多晶硅膜的少数载流子性质,在这种膜中成功地制造出纵向双极晶体管和一种3-D 合并纵向双极-MOS 器件,并提出了关于该器件的简单模型.横向晶体管的实验确定了p 型再结晶膜中少数载流子的扩散长度为4μm.使用多晶硅发射极技术,在0.75μm 厚的膜中制造出基区宽度为0.2μm 的纵向双极npn 晶体管.描述了晶体管的增益与氢退火步骤有密切关系.用Ar:H等离子退火减少基区-发射区的空间电荷区域的复合,有可能使共发射极电流增益(β)为100. 展开更多
关键词 MOS器件 多晶硅膜 晶体管
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用快速热化学汽相淀积法生长Si_(1-x)Ge_x及其在异质结双极晶体管中的应用
2
作者 j.c.sturm 何君 《半导体情报》 1993年第2期39-45,共7页
快速热化学汽相淀积法已用于生长100(?)厚度的Si和Si_(1-x)Ge_x结构。本文讨论了关于生长这种结构的气体变换与温度变换的相关指标。证明了用红外透射进行温度测量时活化温度可控制在600～700C之间。这种生长技术已用于逐县控温45(?)周... 快速热化学汽相淀积法已用于生长100(?)厚度的Si和Si_(1-x)Ge_x结构。本文讨论了关于生长这种结构的气体变换与温度变换的相关指标。证明了用红外透射进行温度测量时活化温度可控制在600～700C之间。这种生长技术已用于逐县控温45(?)周期的超晶格结构以及接近理想电特性的异质结双极晶体管中。 展开更多
关键词 双极晶体管 化学汽相淀积 生长
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