期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到6篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
基于LabVIEW的低频振动测试平台设计与实现
1
作者 刘一颉 薛毅 +3 位作者 何梓烽 梁沃林 ivan s.babichuk 杨建 《机械工程师》 2026年第2期58-62,71,共6页
为了满足恒激励加速度扫频振动测试的实际需求,采用激振器、功率放大器、函数发生器、加速度计等硬件设备,设计了基于LabVIEW的低频振动测试平台。采用加速度计对振动测试平台进行加速度标定,并确定振动过程中激励电压与激励加速度之间... 为了满足恒激励加速度扫频振动测试的实际需求,采用激振器、功率放大器、函数发生器、加速度计等硬件设备,设计了基于LabVIEW的低频振动测试平台。采用加速度计对振动测试平台进行加速度标定,并确定振动过程中激励电压与激励加速度之间的关系。在扫频振动测试中,当目标激励加速度确定时,振动频率与激励电压之间的关系能够被确定,并通过LabVIEW控制程序实现恒激励加速度扫频振动测试,突破传统PID控制算法的局限。在1~100 Hz范围内对25个频率进行了加速度标定试验,通过多项式函数和对数函数对整理后的频率-电压曲线进行拟合,并标定了0.5g、1g和2g三个目标激励加速度,标定后激振器在扫频振动测试中加速度数值稳定、调整速度快,所搭建的低频振动测试平台操作简便、拓展性强、成本低,并且能对振动测试进行有效控制。 展开更多
关键词 LABVIEW 振动测试平台 低频 加速度标定
在线阅读 下载PDF
基于NaCI催化的MoS_(2)薄膜制备及电学性能研究
2
作者 薛毅 周瑞亮 +2 位作者 刘海龙 ivan s.babichuk 杨建 《机电工程技术》 2026年第3期51-55,共5页
目前,二硫化钼(MoS_(2))因其优异的电学和光学特性而广泛应用于微电子和光电子器件领域。然而,实现大面积、高质量单层MoS_(2)薄膜仍具挑战。本研究采用化学气相沉积(CVD)法与氯化钠(NaCl)催化相结合的方法批量制备MoS_(2)薄膜。利用光... 目前,二硫化钼(MoS_(2))因其优异的电学和光学特性而广泛应用于微电子和光电子器件领域。然而,实现大面积、高质量单层MoS_(2)薄膜仍具挑战。本研究采用化学气相沉积(CVD)法与氯化钠(NaCl)催化相结合的方法批量制备MoS_(2)薄膜。利用光学显微镜、拉曼光谱、光致发光光谱和原子力显微镜对其表征。通过对MoS_(2)拉曼位移的特征峰值差异分析,进而研究了氩气流速、生长时间以及引入NaCl催化剂的质量3个生长工艺参数对提高MoS_(2)薄膜的成核密度、结晶质量和覆盖率的影响。结果表明,适量NaCl可降低MoO_(3)钼源熔点,加速前驱体转化,提高生长速率。同时,通过对比研究确定了最佳优化参数为80 cm^(3)/min(标准状态)的氩气流量,5 min的生长时间,0.5 mg的NaCl。在最佳优化参数下,成功制备大面积、高质量的MoS_(2)薄膜。对基于此薄膜制作的场效应晶体管(FET)进行了电学测试,结果显示FET的电子迁移率为3.47 cm^(2)(/V·s)。该结果与传统CVD方法制得FET的典型工艺范围(0.5~3 cm^(2)(/V·s))相比具有较好的电学性能,证实了其在微电子与光电子器件中的应用潜力。 展开更多
关键词 MoS_(2)薄膜 化学气相沉积 NaCl催化 场效应晶体管
在线阅读 下载PDF
基于花状h-MoO_(3)纳米棒@石墨烯的氨气传感器
3
作者 常雨 张伽南 +2 位作者 刘海龙 ivan s.babichuk 杨建 《传感器与微系统》 北大核心 2026年第2期123-127,共5页
以钼酸铵溶液为原料,采用化学浴沉积法制备了花状h-MoO_(3)纳米棒,通过扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱对产物的表面形貌及晶相结构进行表征,探讨了溶液浓度对h-MoO_(3)表面形貌和晶相结构的影响,并对其生成机理进行了研究。随后将h-MoO_... 以钼酸铵溶液为原料,采用化学浴沉积法制备了花状h-MoO_(3)纳米棒,通过扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱对产物的表面形貌及晶相结构进行表征,探讨了溶液浓度对h-MoO_(3)表面形貌和晶相结构的影响,并对其生成机理进行了研究。随后将h-MoO_(3)纳米棒沉积在化学气相沉积(CVD)生长的大面积石墨烯薄膜上制备成氨气(NH3)传感器,并通过自搭建的测试平台对h-MoO_(3)@石墨烯传感器的气敏性能进行测试。结果表明:该传感器的灵敏度要明显优于纯石墨烯基氨气传感器,在室温下,对低至1×10^(-6)氨气有较强的响应,对(1~30)×10^(-6)浓度范围内的氨气均呈现良好的重复性。 展开更多
关键词 化学浴沉积 h-MoO_(3)纳米棒 气体传感器 氨气
在线阅读 下载PDF
基于石墨烯转移的离子凝胶柔性共面场效应晶体管研究
4
作者 张伽南 刘海龙 +1 位作者 ivan s.babichuk 杨建 《机电工程技术》 2026年第4期62-66,共5页
通过电化学法剥离CVD生长的大面积铜基石墨烯薄膜并转移至目标基底上,研究PMMA浓度、剥离电压、电解液浓度等不同转移参数下的石墨烯拉曼光谱,并计算拉曼位移的特征峰值与特征峰平均值的标准差并作出映射图谱,通过标准差的大小来确定不... 通过电化学法剥离CVD生长的大面积铜基石墨烯薄膜并转移至目标基底上,研究PMMA浓度、剥离电压、电解液浓度等不同转移参数下的石墨烯拉曼光谱,并计算拉曼位移的特征峰值与特征峰平均值的标准差并作出映射图谱,通过标准差的大小来确定不同转移参数对于石墨烯特征峰的影响,从而确定最佳工艺参数为剥离电压为2.3V,丙酮浸泡时间为12 h,电解液浓度为2 mol/L,保护层旋涂速度为1500 r/min,PMMA浓度为4%。采用最佳转移工艺的石墨烯结合壳聚糖/丙二醇离子凝胶薄膜(CS/POD)设计和制备一种柔性共面场效应晶体管(FCFET),其中离子凝胶作为场效应晶体管的门控开关,并通过数字源表测试平台对FCFET的电学性能进行测试。结果显示,FCFET的载流子迁移率为-9172 cm^(2)V^(-1)s^(-1),要明显优于传统结构设计的硅基场效应晶体管(GFET)的-1760cm^(2)V^(-1)s^(-1),采用共面结构制备的FCFET有着更简单的制造工艺以及更低的驱动电压为0.01 V,这代表着FCFET拥有更低的功耗。 展开更多
关键词 柔性共面场效应晶体管 转移石墨烯 高载流子迁移率
在线阅读 下载PDF
聚甲基丙烯酸甲酯对二硫化钼拉伸应变控制及拉曼光谱研究 被引量：2
5
作者 丘育辉 陈伟权 +6 位作者 邓壬癸 刘一颉 何梓锋 常雨 李沭浩 ivan s.babichuk 杨建 《机电工程技术》 2023年第11期61-64,共4页
自石墨烯问世以来,二维过渡金属硫化物二硫化钼(MoS_(2))成为了科研人员的关注热点。MoS_(2)在其原子厚度下具有独特的光学、电学和机械性能,是制造柔性电子器件的理想材料。在机械性能方面,MoS_(2)可以承受较大的应变,比传统的半导体... 自石墨烯问世以来,二维过渡金属硫化物二硫化钼(MoS_(2))成为了科研人员的关注热点。MoS_(2)在其原子厚度下具有独特的光学、电学和机械性能,是制造柔性电子器件的理想材料。在机械性能方面,MoS_(2)可以承受较大的应变,比传统的半导体材料高出了许多。研究中常使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)直接作为单层MoS_(2)的柔性衬底,但由于它们之间的范德华力十分微弱,柔性衬底在拉伸和弯曲过程中,单层MoS_(2)会发生较大的滑移,对柔性衬底施加的应变不能有效地传递到二维MoS_(2)的晶格上,导致应变传递效率低下。为提高MoS_(2)应变传递效率,提出了将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)旋涂在单层MoS_(2)上对其进行封装的方法,使PM‐MA与单层MoS_(2)形成强的相互作用力。结果表明,对PMMA进行多次应变控制时,传递到MoS_(2)的应变都相同,证实了MoS_(2)在应变过程中不会发生滑移。采用化学气相沉积法(CVD)制备MoS_(2),并用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)转移到柔性衬底上。通过对柔性衬底施加应变控制,研究单层MoS_(2)在PMMA上应变传递时的拉曼光谱,探究PMMA对MoS_(2)的应变控制,证实MoS_(2)应变传递的有效性。 展开更多
关键词 二硫化钼 化学气相沉积法 拉曼光谱 应变 PMMA
在线阅读 下载PDF
离子液体掺杂左旋聚乳酸薄膜的制备及压电性能研究
6
作者 朱惠煜 杨建 +5 位作者 何梓峰 刘一颉 陈伟权 李沭浩 常雨 ivan s.babichuk 《机电工程技术》 2023年第11期81-84,共4页
聚L-乳酸(PLLA)不仅具有透明、柔软、绿色来源、可再生、可生物降解以及生物兼容等特点,还具有一定的剪切压电性能,是运动测量、健康监测、人机交互等领域的热点材料。然而左旋聚乳酸的压电性能较聚偏四氟乙烯(PVDF)弱。为进一步提升左... 聚L-乳酸(PLLA)不仅具有透明、柔软、绿色来源、可再生、可生物降解以及生物兼容等特点,还具有一定的剪切压电性能,是运动测量、健康监测、人机交互等领域的热点材料。然而左旋聚乳酸的压电性能较聚偏四氟乙烯(PVDF)弱。为进一步提升左旋聚乳酸薄膜的压电性能,通过少量掺杂(1-丁基-3-甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐)离子液体(IL)和后处理工艺制备了一种压电性能增强的左旋聚乳酸薄膜。采用X射线衍射、拉曼光谱、力学测试仪等设备详细研究了掺杂不同质量比IL(0%、0.25%、1%、4%)的PLLA薄膜在不同退火工艺下的结晶性能和压电特性。结果表明,PLLA薄膜的压电性能随着离子液体浓度的增加和退火时间的增加而增加;4%IL掺杂且退火2 h的PLLA/IL复合薄膜的电压响应信号达到0.64 V,是纯PLLA薄膜对照组电压响应峰值信号的2倍。因此,通过往PLLA薄膜合理掺杂IL和适当退火处理能够获得高压电性能的左旋聚乳酸薄膜。 展开更多
关键词 左旋聚乳酸 离子液体 退火时长 压电性能
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部