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卤化等离子体中钨和硅化钨的腐蚀
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作者 hess.,dw 李祥 《微电子学》 CAS CSCD 1989年第1期47-52,45,共7页
本文阐述了用等离子体,离子束,反应性中子束以及含氟、氯和溴的卤原子类对钨和硅化钨膜的腐蚀。讨论和比较了腐蚀条件对腐蚀速率,各向异性和对二氧化硅及光刻胶的选择性的影响。这些研究使得对钨和硅化钨的基本的腐蚀化学有了深入的了解。
关键词 钨 硅化钨 腐蚀 卤原子 等离子体
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