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垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用
被引量：
2
1
作者
常玉春
崔洪峰
+4 位作者
王金忠
宋俊峰
hailinluo
Y.Wang
杜国同
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期624-627,共4页
在异质结双极晶体管 (HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻 ,以改善其热稳定性 .通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻 ,而且在功率
关键词
垂直发射极
HBT
异质结双极晶体管
镇流电阻
电流集边效应
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职称材料
A Novel GaAs／InGaAs／AlGaAs Structure of Modulation—Doped Field—Effect Transistors with High Transconductances
2
作者
常玉春
hailinluo
等
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2002年第4期588-590,共3页
原文传递
题名
垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用
被引量：
2
1
作者
常玉春
崔洪峰
王金忠
宋俊峰
hailinluo
Y.Wang
杜国同
机构
吉林大学电子科学和工程学院
香港科技大学物理系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期624-627,共4页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 770 2 1)
国家重大基础研究 (No.G2 0 0 0 0 3 660 5 )资助项目
文摘
在异质结双极晶体管 (HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻 ,以改善其热稳定性 .通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻 ,而且在功率
关键词
垂直发射极
HBT
异质结双极晶体管
镇流电阻
电流集边效应
Keywords
heterojunction bipolar transistors
ballasting resistors
current crowding effect
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
A Novel GaAs／InGaAs／AlGaAs Structure of Modulation—Doped Field—Effect Transistors with High Transconductances
2
作者
常玉春
hailinluo
等
机构
StatekeyLaboratoryonIntegratedOptoelectronicsandCollegeofElectronicScience&Engineering
DepartmentofPhysics
出处
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2002年第4期588-590,共3页
分类号
TN322.1 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用
常玉春
崔洪峰
王金忠
宋俊峰
hailinluo
Y.Wang
杜国同
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
在线阅读
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职称材料
2
A Novel GaAs／InGaAs／AlGaAs Structure of Modulation—Doped Field—Effect Transistors with High Transconductances
常玉春
hailinluo
等
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2002
0
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