期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
非晶硅TFT强光稳定性的研究及改善
1
作者 张亚军 叶发科 +2 位作者 陆磊 Simon Han gilbert seo 《现代信息科技》 2022年第2期43-47,共5页
随着显示产业的迅猛发展,大尺寸、宽色域、高动态范围(HDR)和高亮度给薄膜晶体管(TFT)面板带来了更大的挑战。经过测试,在40000 nit高亮度背光照明下,经过500小时照明,面板的充电能力衰减幅度高达13%。其机理与TFT结构密切相关,如栅极... 随着显示产业的迅猛发展,大尺寸、宽色域、高动态范围(HDR)和高亮度给薄膜晶体管(TFT)面板带来了更大的挑战。经过测试,在40000 nit高亮度背光照明下,经过500小时照明,面板的充电能力衰减幅度高达13%。其机理与TFT结构密切相关,如栅极的功函数和栅极绝缘层(GI)的光学带隙(E_(g))。经研究,通过将GI层光学带隙从4.1 eV提升到4.7 eV,高亮度应力下衰减幅度从13%改善到了1%以下。 展开更多
关键词 LCD a-Si TFT PECVD 高亮度
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部