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GaAsFET放大器五种基本的偏置设计
1
作者
g.d.vendelin
赵中慧
《微纳电子技术》
1980年第6期71-75,共5页
不要忘记 GaAsFET 的直流偏置,迄今一直强调 S 参量和增益压缩点的数据表。但是,如果没有合适的无源参量,你就不可能得到这些有源参量的图表。
关键词
偏置点
放大器
电子设备
GAASFET
在线阅读
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职称材料
题名
GaAsFET放大器五种基本的偏置设计
1
作者
g.d.vendelin
赵中慧
出处
《微纳电子技术》
1980年第6期71-75,共5页
文摘
不要忘记 GaAsFET 的直流偏置,迄今一直强调 S 参量和增益压缩点的数据表。但是,如果没有合适的无源参量,你就不可能得到这些有源参量的图表。
关键词
偏置点
放大器
电子设备
GAASFET
分类号
TN7 [电子电信—电路与系统]
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作者
出处
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1
GaAsFET放大器五种基本的偏置设计
g.d.vendelin
赵中慧
《微纳电子技术》
1980
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