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高纯区熔单晶硅高增益光晶体管的研究 被引量：2
1
作者 田晓娜 张秀荣 +2 位作者 张海君 韩德俊 g.batignani 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期838-841,共4页
区熔单晶硅与直拉单晶硅以及其他半导体材料相比杂质含量少 ,少子寿命长 ,所以以区熔单晶硅为衬底制作的光晶体管在弱的光信号下仍然有高的增益 ,适宜于弱光探测 报道了以区熔单晶硅为衬底的光晶体管的实验结果 为了保持区熔高纯单晶... 区熔单晶硅与直拉单晶硅以及其他半导体材料相比杂质含量少 ,少子寿命长 ,所以以区熔单晶硅为衬底制作的光晶体管在弱的光信号下仍然有高的增益 ,适宜于弱光探测 报道了以区熔单晶硅为衬底的光晶体管的实验结果 为了保持区熔高纯单晶硅内的少子寿命 ,背面淀积了一层掺磷多晶硅作为外吸杂层 已经测量得到对于实验中发射极直径为 2mm的光晶体管在波长为0 .83μm的入射光照射下 ,光功率低至 0 .16nW时 ,光晶体管的增益仍然高达 4 40 展开更多
关键词 区熔单晶硅 外部吸杂 光晶体管 增益 少子寿命
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