垂直浓淡燃烧准东煤炉内结渣特性的数值模拟研究

1

作者 杨力 张锡乾 +6 位作者 杨跃军 付海鹏 段赟 杨彭飞 王凯亮 刘旋坤 张海 《洁净煤技术》 北大核心 2025年第S1期216-221,共6页

对采用垂直浓淡燃烧技术燃用准东煤的某330 MW四角切圆燃烧锅炉的温度场和颗粒运动进行了三维数值模拟,并建立颗粒在受热面的沉积模型,分析了多种垂直浓淡分配比例下煤粉炉内的结渣特性。模拟结果表明:颗粒熔融分数模型预测的颗粒沉积... 对采用垂直浓淡燃烧技术燃用准东煤的某330 MW四角切圆燃烧锅炉的温度场和颗粒运动进行了三维数值模拟,并建立颗粒在受热面的沉积模型,分析了多种垂直浓淡分配比例下煤粉炉内的结渣特性。模拟结果表明:颗粒熔融分数模型预测的颗粒沉积速率比颗粒黏度模型预测值略小,但处于同一数量级,表明颗粒熔融分数模型适用于燃准东煤锅炉炉内结渣特性的预测。煤粉垂直浓淡比对炉内结焦位置有重要影响,当其值增加时,炉膛内温度高于1 900 K的区域减小,屏式过热器结渣情况可较大减轻,但前后墙水冷壁结渣量有所增加,使炉内结渣分布更加均匀。 展开更多

关键词 四角切圆锅炉 垂直浓淡 准东煤 颗粒熔融分数模型 结渣特性

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基于CMOS的高精度两步式TDC设计

2

作者 傅海鹏 董骁 《湖南大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第10期145-153,共9页

提出了一种基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的适用于全数字锁相环、飞行时间测量等应用的高精度两步式时间数字转换器(TDC).针对传统TDC分辨率与量程相互制约以及由延迟单元不匹配性造成精度低的问题,提出了采样补偿环形TDC结构和反向自补偿... 提出了一种基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的适用于全数字锁相环、飞行时间测量等应用的高精度两步式时间数字转换器(TDC).针对传统TDC分辨率与量程相互制约以及由延迟单元不匹配性造成精度低的问题,提出了采样补偿环形TDC结构和反向自补偿链结构,兼顾分辨率和量程,大幅度提高结构整体测量精度,设计了精简的互补开关过渡电路传递两级之间的量化时间余量,采用专用电压生成电路稳定产生不同的控制电压,芯片面积仅为0.75 mm×0.64 mm.测试结果表明:设计的TDC使用TSMC 0.18μm工艺可以实现47 ps分辨率,量程为56 ns,微分线性度小于0.34 LSB,积分线性度小于0.68 LSB. 展开更多

关键词 时间数字转换器 两步式 高精度 锁相环 CMOS工艺

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0.15~5.8 GHz超宽带多功能锁相环设计

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作者 傅海鹏 毕宇昕 +1 位作者 王志鹏 石浩 《湖南大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第6期187-194,共8页

为满足通信基站、雷达等系统对于高频谱纯度本振信号的需求,基于130 nm SiGe BiCMOS工艺设计并实现了一款超宽带、多功能的锁相环(phase-locked loop,PLL)芯片,并结合芯片的应用设计了片外测试电路系统.PLL芯片内部的数控电荷泵(charge ... 为满足通信基站、雷达等系统对于高频谱纯度本振信号的需求,基于130 nm SiGe BiCMOS工艺设计并实现了一款超宽带、多功能的锁相环(phase-locked loop,PLL)芯片,并结合芯片的应用设计了片外测试电路系统.PLL芯片内部的数控电荷泵(charge pump,CP)可以通过CP电流控制,实现对环路带宽和系统功耗等重要指标的调节.宽带可切换分频器在反馈回路中对片外不同工作频段和性能特点的压控振荡器(voltage controlled oscillator,VCO)输出的基波信号进行分频,实现1~5.8 GHz范围内基波信号的锁定输出.同时片内集成独立分频系统对VCO输出基波信号实现了1/2/4/8/16分频,覆盖了基波信号频段以下0.15~1 GHz范围的低频信号的输出,进一步拓展锁定带宽.对该锁相环芯片进行流片测试表明,基波2.4 GHz输出时,环路带宽内100 kHz处相位噪声为-105.8 dBc/Hz,参考杂散抑制-86.12 dBc.芯片在3.3V供电下,最高鉴相频率可达75 MHz,可在-55~85℃之间正常工作,提供高频谱纯度的本振信号. 展开更多

关键词 锁相环 带宽 电荷泵 相位噪声

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CCUS-EOR系统掺水回注管道流动腐蚀数值模拟研究

4

作者 王莉莉 胡芳问 +5 位作者 付世博 王鑫 付海朋 吴健辉 李栋 石健 《河南科学》 2024年第8期1111-1119,共9页

CCUS-EOR系统中的转油站掺水回注系统管线极易受回注污水腐蚀影响而发生腐蚀泄漏风险.针对此问题,基于流体力学、电化学腐蚀原理建立了稳态非等温流动模型和腐蚀电化学模型,开展管线CO_(2)流动和腐蚀电化学特性研究,分析流速、温度、压... CCUS-EOR系统中的转油站掺水回注系统管线极易受回注污水腐蚀影响而发生腐蚀泄漏风险.针对此问题,基于流体力学、电化学腐蚀原理建立了稳态非等温流动模型和腐蚀电化学模型,开展管线CO_(2)流动和腐蚀电化学特性研究,分析流速、温度、压力和pH值等因素对管线腐蚀状态的影响.研究结果表明,直管和弯管局部区域存在流速增加现象,弯管处易发生空蚀破坏;管内回注污水流速越快,pH值越低,温度越高,管线管径越小,管道内壁的腐蚀速率越高.管线设计建议优选非金属管道,若采用碳钢金属管道,工程设计上应尽量选择较大管径的管材,同时可考虑添加缓蚀剂以调节pH值,降低污水输送的温度,从而降低管道内壁的腐蚀速率. 展开更多

关键词 CCUS-EOR 非等温流动 电化学腐蚀 数值模拟 掺水回注管线

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Sn对Al-Mg-Ga-Sn阳极合金电化学性能的影响 被引量：6

5

作者 魏满想 高思睿 +3 位作者 刘宏亮 王鑫 付海朋 何立子 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第S01期311-314,共4页

为提高铝合金在金属空气电池中作为阳极的电化学性能,本文研究了不同含量的Sn元素对Al-Mg-Ga合金电化学性能的影响,测试了不同Sn含量的合金在6 mol/L KOH电解液中的开路电位、极化曲线、交流阻抗谱和恒流放电等性能。结果表明:Sn元素能... 为提高铝合金在金属空气电池中作为阳极的电化学性能,本文研究了不同含量的Sn元素对Al-Mg-Ga合金电化学性能的影响,测试了不同Sn含量的合金在6 mol/L KOH电解液中的开路电位、极化曲线、交流阻抗谱和恒流放电等性能。结果表明:Sn元素能够明显改善铝合金阳极的性能,与纯铝相比,合金的电化学性能得到了大幅度提升;当加入的Sn含量为0.1wt%时,合金的析氢腐蚀最慢、电化学性能最佳,合金具有最好的综合性能。 展开更多

关键词 铝阳极 电化学性能 放电性能 铝空气电池

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宽带低附加相移可变增益放大器 被引量：2

6

作者 肖慧华 马凯学 +1 位作者 傅海鹏 陆敏 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期345-355,共11页

基于130 nm BiCMOS(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺提出一款超宽带低附加相移可变增益放大器.该设计采用可变增益放大器和开关衰减器的组合结构,其中可变增益放大器在宽带、高效率的反馈式放大器的基础上通过改... 基于130 nm BiCMOS(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺提出一款超宽带低附加相移可变增益放大器.该设计采用可变增益放大器和开关衰减器的组合结构,其中可变增益放大器在宽带、高效率的反馈式放大器的基础上通过改变偏置实现增益控制,而开关衰减器的应用在拓宽增益控制范围的同时减小了偏置变化范围,从而减小了不同增益状态下的附加相移.提取版图寄生参数后的仿真结果表明:在1.6 V供电电压下,该可变增益放大器在3.5~11 GHz范围内增益平坦度小于±0.75 dB,增益控制范围为-22~10 dB,增益步进值为0.5 dB,噪声系数小于6.5dB,不同增益状态下的附加相移小于±5°,电路输出1 dB压缩点大于12 dBm,动态功耗小于155 mW.该可变增益放大器拓扑在满足项目需求的同时为减小可变增益放大器的附加相移提供了一种思路. 展开更多

关键词 可变增益放大器 BICMOS 附加相移 宽带

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宽带高效率二倍频器的设计 被引量：1

7

作者 傅海鹏 郑玉学 陆敏 《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期504-511,共8页

针对共源二倍频器匹配电路版图面积较大和传统共基二倍频器变频增益低的问题,本文提出一种二次谐波短路的共基二倍频器电路.共基结构和共源结构相比输出电容较小使得匹配电路尺寸较小,同时在输入端引入二次谐波短路电路,有效提升了共基... 针对共源二倍频器匹配电路版图面积较大和传统共基二倍频器变频增益低的问题,本文提出一种二次谐波短路的共基二倍频器电路.共基结构和共源结构相比输出电容较小使得匹配电路尺寸较小,同时在输入端引入二次谐波短路电路,有效提升了共基二倍频器的变频增益.该二倍频器由Push-push二倍频器电路和驱动放大器构成,其中前者用来产生二倍频信号,后者用来对二倍频信号进行放大输出以便驱动二倍频器的后一级电路.基于对晶体管偏置与二次谐波输出功率关系的研究,将晶体管偏置在AB类提升了输出功率和变频增益.输入端共模点接地减小了输入匹配的相位误差,提升了基波抑制和三次谐波抑制.驱动放大器采用共发射极放大器结构,输出匹配部分采用并联电阻变压器结构用于提升匹配带宽.测试结果表明,在输入功率为2 dBm的条件下,3 dB带宽绝对频率范围是13.8~23.2 GHz(相对带宽50.8%),基波抑制带内优于32 dB,功率附加效率达到19%(输出功率5.2 dBm,直流功耗16 mW).二倍频器芯片(核心区域,不含测试焊盘)面积仅为0.245 mm^(2). 展开更多

关键词 二倍频器 Push-push 宽带 高效率

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毫米波雷达前端芯片关键技术探讨 被引量：6

8

作者 刘兵 李旭光 +1 位作者 傅海鹏 马凯学 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第6期1485-1497,共13页

毫米波雷达的距离分辨率和最大可工作距离通常受雷达射频信号带宽和发射功率的限制,具有宽工作带宽、高输出功率、高灵敏度、高精度相位控制的毫米波雷达芯片是实现高性能毫米波雷达系统的关键。毫米波雷达芯片的设计难点主要集中在阻... 毫米波雷达的距离分辨率和最大可工作距离通常受雷达射频信号带宽和发射功率的限制,具有宽工作带宽、高输出功率、高灵敏度、高精度相位控制的毫米波雷达芯片是实现高性能毫米波雷达系统的关键。毫米波雷达芯片的设计难点主要集中在阻抗匹配、噪声降低、功率提升、相位控制等方面。因此,该文针对毫米波雷达前端芯片设计难点的关键解决技术进行探讨和综述。 展开更多

关键词 毫米波雷达 芯片 阻抗匹配 功率合成 相控阵

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硅基太赫兹技术及未来趋势 被引量：5

9

作者 张蕾 傅海鹏 +2 位作者 孟凡易 王科平 马凯学 《太赫兹科学与电子信息学报》 2021年第5期753-768,共16页

不同于传统的太赫兹组件,基于硅基的太赫兹系统在大规模使用情况下具有成本低,尺寸小,集成度高,操作性强,更容易实现大阵列等特点。近10年来,随着硅基半导体技术的快速发展和硅基工艺晶体管的截止频率提升,硅基太赫兹系统芯片的设计发... 不同于传统的太赫兹组件,基于硅基的太赫兹系统在大规模使用情况下具有成本低,尺寸小,集成度高,操作性强,更容易实现大阵列等特点。近10年来,随着硅基半导体技术的快速发展和硅基工艺晶体管的截止频率提升,硅基太赫兹系统芯片的设计发展迅猛。本文将主要从硅基太赫兹源、硅基太赫兹成像芯片、硅基太赫兹通信芯片、硅基太赫兹雷达芯片四个方面对当前的硅基太赫兹系统芯片的研究现状和发展趋势进行综述。 展开更多

关键词 硅基 太赫兹 成像 通信 雷达

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大鼠心包组织存在C-kit、Sca-1和Nanog阳性细胞

10

作者 付海鹏 李铎 郭志坤 《中国组织化学与细胞化学杂志》 CAS CSCD 2019年第3期211-215,共5页

目的观察大鼠心包组织中C-kit,Sca-1,Nanog阳性细胞的表达及分布,为治疗心肌损伤寻找新的干细胞来源。方法取大鼠新鲜心包,利用石蜡切片和铺片技术,HE和Masson染色,观察其组织结构;利用免疫组织化学染色技术,观察C-kit、Scal-1、Nanog... 目的观察大鼠心包组织中C-kit,Sca-1,Nanog阳性细胞的表达及分布,为治疗心肌损伤寻找新的干细胞来源。方法取大鼠新鲜心包,利用石蜡切片和铺片技术,HE和Masson染色,观察其组织结构;利用免疫组织化学染色技术,观察C-kit、Scal-1、Nanog阳性细胞在心包组织中的表达;利用免疫荧光双标技术观察C-kit、Scal-1、Nanog之间的共表达情况;利用免疫印迹法检测心包组织中C-kit、Scal-1、Nanog的表达。结果大鼠心包组织中存在大量散在的小而圆或椭圆形细胞,广泛分布于成纤维细胞之间和小血管周围。免疫组织化学染色显示,这些细胞分别阳性表达C-kit、Sca-1、Nanog。免疫荧光双标染色显示,部分细胞共表达C-kit和scal-1两种表面抗原,部分细胞共表达scal-1和Nanog表面抗原,而C-kit与Nanog共表达于血管弹力膜。结论大鼠心包组织中存在C-kit、Scal-1和Nanog阳性细胞,一种细胞可表达两种表面标记。 展开更多

关键词 大鼠心包 C-KIT Scal-1 NANOG 共定位

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S波段高效E类GaN HEMT功率放大器设计 被引量：3

11

作者 王彩霞 傅海鹏 成千福 《南开大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期32-36,共5页

为了解决E类功率放大器最大工作频率(fmax)受晶体管输出电容限制的问题,提出了一种新型的E类功率放大器输出匹配电路结构.该结构能够同时实现对晶体管在基波和谐波下的过剩输出电容进行补偿,一方面提升了E类功率放大器在高频工作时的效... 为了解决E类功率放大器最大工作频率(fmax)受晶体管输出电容限制的问题,提出了一种新型的E类功率放大器输出匹配电路结构.该结构能够同时实现对晶体管在基波和谐波下的过剩输出电容进行补偿,一方面提升了E类功率放大器在高频工作时的效率,另一方面也降低了电路的复杂度和实现难度.利用所提出的方法,采用GaN HEMT器件,设计并实现了工作在2.5 GHz的E类功率放大器.测试结果表明,其最大功率附加效率(PAE)达到80%,饱和输出功率为40.1 dBm. 展开更多

关键词 功率放大器 E类 高效率 寄生补偿

原文传递

高功率太赫兹基波压控振荡器设计 被引量：2

12

作者 傅海鹏 孙辉 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期145-151,共7页

基于55 nm CMOS工艺提出了一款具有高输出功率的太赫兹基波压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO).设计采用堆叠结构来克服单个晶体管供电电压受限导致输出摆幅较低的问题来有效提高了输出功率.依据单边化技术在核心晶体管的... 基于55 nm CMOS工艺提出了一款具有高输出功率的太赫兹基波压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO).设计采用堆叠结构来克服单个晶体管供电电压受限导致输出摆幅较低的问题来有效提高了输出功率.依据单边化技术在核心晶体管的栅漏之间嵌入自馈线来调整栅漏之间的相移和增益以最大化晶体管在期望频率下的可用增益,从而提高晶体管的功率输出潜力.提取版图寄生后的仿真结果表明:在2.4 V供电电压下,VCO的输出频率范围为200.5 GHz~204.4 GHz,电路峰值输出功率为3.25 dBm,在1 MHz的频偏处最优相位噪声为-98.7 dBc/Hz,最大效率为8.1%.包括焊盘在内的版图面积仅为0.18 mm^(2).此次工作实现了高输出功率并具有紧凑的面积,为高功率太赫兹频率基波VCO设计提供了一种设计思路. 展开更多

关键词 太赫兹 压控振荡器 高功率 高效率

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2.4 GHz频段射频前端高线性度SiGe低噪声放大器设计 被引量：2

13

作者 傅海鹏 史昕宇 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期77-83,共7页

为满足高性能射频前端接收部分对高线性度的需求,基于SiGe BiCMOS工艺设计并实现了一款工作在2.4 GHz频段的高线性度低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA).该放大器采用Cascode结构在增益与噪声之间取得平衡,在Cascode结构输入和输出... 为满足高性能射频前端接收部分对高线性度的需求,基于SiGe BiCMOS工艺设计并实现了一款工作在2.4 GHz频段的高线性度低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA).该放大器采用Cascode结构在增益与噪声之间取得平衡,在Cascode结构输入和输出间并联反馈电容,实现输入端噪声与增益的同时匹配.设计了一种改进的动态偏置有源电流镜以提升输入1 dB压缩点及输入三阶交调点的线性度指标.为满足应用需求,LNA与射频开关及电源模块集成组成低噪声射频前端接收芯片进行流片加工测试.测试结果表明:在工作频率2.4~2.5GHz内,整个接收芯片增益为14.6~15.2 dB,S_(11)、S_(11)<-9.8 dB,NF<2.1 dB,2.45 GHz输入1 dB压缩点为-2.7 dBm,输入三阶交调点为+12 dBm.芯片面积为1.23 mm×0.91 mm.该测试结果与仿真结果表现出较好的一致性,所设计的LNA展现出了较好的线性度表现. 展开更多

关键词 低噪声放大器 线性度 射频前端芯片 BICMOS工艺

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某砂岩型铀矿床井间示踪技术应用研究 被引量：3

14

作者 孙刚友 程光华 +3 位作者 付海鹏 王合祥 门宏 刘波 《中国矿业》 2021年第5期220-223,236,共5页

为了查明矿床地下水的连通性和连续抽出条件下地下水渗流速度等地浸地质条件,给矿床地浸地质条件评价提供依据。在某砂岩型铀矿床开展井间示踪试验,试验结果显示,示踪剂突破时间为15d,峰值时间为54d,峰值浓度为2.561mg/L。依据水动力条... 为了查明矿床地下水的连通性和连续抽出条件下地下水渗流速度等地浸地质条件,给矿床地浸地质条件评价提供依据。在某砂岩型铀矿床开展井间示踪试验,试验结果显示,示踪剂突破时间为15d,峰值时间为54d,峰值浓度为2.561mg/L。依据水动力条件下含矿含水层的溶液渗流速度公式,计算出地下水平均流动速度为0.51m/d,表明地下水连通性较好;通过示踪试验期间两次停机前后示踪剂浓度值变化极小这一结果可知地下水在天然状态下流动性较弱;示踪剂浓度随时间变化曲线表明试验区段地下水赋存性质呈现孔隙水特征。 展开更多

关键词 示踪试验 荧光素钠 渗流速度 砂岩铀矿床

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CMOS太赫兹探测器研究进展 被引量：1

15

作者 张新 徐辉 +1 位作者 傅海鹏 马凯学 《空间电子技术》 2024年第4期1-8,共8页

文章全面综述了硅基互补金属氧化物半导体太赫兹探测器领域的最新研究进展。通过分析晶体管如何超越传统截止频率上限来实现太赫兹波段的检测,展示了CMOS太赫兹探测器的技术潜能及其在理论研究和实际应用中的广泛前景。鉴于太赫兹技术... 文章全面综述了硅基互补金属氧化物半导体太赫兹探测器领域的最新研究进展。通过分析晶体管如何超越传统截止频率上限来实现太赫兹波段的检测,展示了CMOS太赫兹探测器的技术潜能及其在理论研究和实际应用中的广泛前景。鉴于太赫兹技术在安全检测、无线通信和医学成像等领域的重要应用,文章旨在揭示CMOS太赫兹探测器如何通过技术创新和设计优化满足这些领域对高性能探测需求的挑战。文章首先梳理了探测器的工作原理和经典模型,总结了目前太赫兹探测技术的关键建模方法,为理解和提高探测性能奠定了基础。随后,探讨了多种提升探测器性能的方法,包括采用新型不对称结构设计和工艺改进,展示了通过创新设计和技术优化提升性能的潜在途径。此外,还介绍了太赫兹探测器与读出电路的集成技术,实现了小型化太赫兹相机的设计。这一进展不仅缩小了设备的尺寸,还使得太赫兹相机实现了视频流成像的功能。最后,文章对太赫兹探测成像系统技术的未来发展进行了前瞻,特别强调了小型化设计与灵敏度提升的重要性,旨在促进更广泛的研究工作和技术创新。 展开更多

关键词 硅基 太赫兹 探测器 成像系统

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编织袋用真空吸盘系统设计 被引量：5

16

作者 付海鹏 王库 王向荣 《铀矿冶》 CAS 2021年第2期139-142,共4页

在粉料自动投料装置研制过程中,采用真空吸盘对编制袋进行抓取。分析总结了各类吸盘的抓取能力,并选择几种真空吸盘系统进行试验,最终确定了可用于抓取编织袋的真空吸盘系统。本套系统成功实现了对编织袋的抓取,为后续工作的开展奠定了... 在粉料自动投料装置研制过程中,采用真空吸盘对编制袋进行抓取。分析总结了各类吸盘的抓取能力,并选择几种真空吸盘系统进行试验,最终确定了可用于抓取编织袋的真空吸盘系统。本套系统成功实现了对编织袋的抓取,为后续工作的开展奠定了基础。 展开更多

关键词 真空吸盘 编织袋 泄露

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粉料自动投料装置的研制 被引量：3

17

作者 王向荣 王库 +1 位作者 付海鹏 顾红超 《铀矿冶》 CAS 2021年第2期143-147,157,共6页

针对在地浸铀矿山水冶生产中,粉料投加岗位采用人工投料方式存在的劳动强度大、作业环境差、运行成本高等问题,研制了粉料自动投料装置。该装置采用行业先进的3D视觉扫描成像技术,引导工业机器人智能、自主地定位抓取料袋,配合拆包机、... 针对在地浸铀矿山水冶生产中,粉料投加岗位采用人工投料方式存在的劳动强度大、作业环境差、运行成本高等问题,研制了粉料自动投料装置。该装置采用行业先进的3D视觉扫描成像技术,引导工业机器人智能、自主地定位抓取料袋,配合拆包机、输送机、废袋收集桶等单元设备完成自动投料作业任务,可为地浸水冶厂全面实现无人值守提供技术支撑。 展开更多

关键词 粉料 拆包 输送 机器人

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130 GHz CMOS有源矢量合成移相器 被引量：1

18

作者 李旭光 刘兵 +1 位作者 傅海鹏 马凯学 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第6期1559-1564,共6页

面向毫米波相控阵雷达系统应用,该文基于55 nm CMOS工艺设计了一款工作于130 GHz的有源矢量(VM)合成移相器。该电路包含宽带正交发生器、可变增益放大和矢量合成模块。为提升移相器相位分辨率和移相精度,该电路可变增益放大采用了具有... 面向毫米波相控阵雷达系统应用,该文基于55 nm CMOS工艺设计了一款工作于130 GHz的有源矢量(VM)合成移相器。该电路包含宽带正交发生器、可变增益放大和矢量合成模块。为提升移相器相位分辨率和移相精度,该电路可变增益放大采用了具有高频宽带属性的共栅放大结构和具有高增益属性的含中和电容的共源共栅放大结构多级级联的形式。为避免移相器在矢量合成时由自身结构特点产生相位断裂而导致移相范围下降,该设计电路在矢量合成模块中融入了数控人工介质(DiCAD)结构。通过全波电磁仿真对所设计毫米波移相器进行验证,在125~135 GHz频率范围内,所设计移相器平均增益大于1 dB,移相器可由控制电压控制实现全360°范围内5.625°的相位步进,RMS相位误差小于4°,电路面积为1100 mm×600 mm,功耗33 mW。 展开更多

关键词 CMOS 移相器 矢量合成 毫米波雷达

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基于GaAsHBT的C波段RLC负反馈功率放大器设计 被引量：1

19

作者 傅海鹏 姚攀辉 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期101-108,共8页

提出了一款基于GaAs HBT C波段的线性负反馈功率放大器(power amplifier,PA).本设计采用三级共发射极(common emitter,CE)结构,使用两种不同的有源线性偏置来提升PA的线性度,同时使用RLC负反馈网络来提高稳定性和拓展工作带宽.针对传统... 提出了一款基于GaAs HBT C波段的线性负反馈功率放大器(power amplifier,PA).本设计采用三级共发射极(common emitter,CE)结构,使用两种不同的有源线性偏置来提升PA的线性度,同时使用RLC负反馈网络来提高稳定性和拓展工作带宽.针对传统的负反馈网络结构PA的增益下降问题,RLC负反馈网络可以通过调整负反馈网络中的电感值来有效减小负反馈带来的增益下降的影响.测试结果表明:室温下,在5.1~7.4 GHz范围内,实现增益大于28 dB.在5.9~7.1 GHz的线性工作频段内,平均增益大约为29.5 dB,S11和S22均小于-10 dB;在满足无线局域网标准802.11a,采用20 MHz 64-QAM信号,EVM达到-30 dB的输出功率为18.9~22.5 dBm.在5.9~6.2 GHz时,饱和输出功率大于30 dBm,最大的附加功率效率大于35%. 展开更多

关键词 功率放大器 负反馈 异质结双极晶体管(HBT)

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