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氮化镓功率晶体管三电平驱动技术 被引量:20
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作者 任小永 David Reusch +2 位作者 季澍 穆明凯 fred c lee 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第5期202-207,共6页
作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)材料具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,无论在民用或是军事领域都具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,大直径硅(Si)基Ga... 作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)材料具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,无论在民用或是军事领域都具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,大直径硅(Si)基GaN外延技术逐步成熟并向商用化方向发展。2010年以来,多家国际著名半导体厂商相继推出GaN功率晶体管器件。与硅半导体功率器件一样,合理的驱动方式也是GaN功率晶体管优越性能得以体现的重要保障。本文将以GaN功率器件在同步整流Buck变换器中的应用为例,提出一种三电平的驱动方式,以充分发挥GaN功率晶体管器件的优越性。实验结果表明,本文提出的三电平驱动方式可以有效提高变换器的效率。 展开更多
关键词 氮化镓 GAN 三电平 驱动方式
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用功率流方法研究压电陶瓷变压器的电气特性 被引量:2
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作者 张东彦 张卫平 +1 位作者 D Y chen fred c lee 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1648-1650,共3页
基于功率流方法 ,本文提出了一种分析压电陶瓷变压器电气特性的方法 .其主要贡献是 :(1)给出了计算最佳负载、电压增益、效率和输出功率等电气特性的公式 ;(2 )利用这些公式 ,给出了分析压电陶瓷变压器电气特性的计算程序 ,并提出了最... 基于功率流方法 ,本文提出了一种分析压电陶瓷变压器电气特性的方法 .其主要贡献是 :(1)给出了计算最佳负载、电压增益、效率和输出功率等电气特性的公式 ;(2 )利用这些公式 ,给出了分析压电陶瓷变压器电气特性的计算程序 ,并提出了最佳电阻和最佳匹配网络的概念 ;(3)为了证明其理论结果 ,文中给出了仿真结果 .本文所得到的结果为分析压电陶瓷变压器电气特性提供了一个有用的工具 . 展开更多
关键词 压电陶瓷变压器 电气特性 匹配网络 最佳负载
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