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利福平通过NRF2/NQO1通路对小鼠肝细胞造成氧化损伤 被引量:1
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作者 李亚奇 郑志坚 +3 位作者 张美诗 符王洋 孟春燕 钱庆增 《海南医科大学学报》 北大核心 2025年第4期248-253,共6页
目的:探究利福平(Rifampicin,RFP)调节NRF2/NQO1通路对小鼠肝细胞AML12造成的影响。方法:培养正常的小鼠肝细胞系AML12。采用不同浓度的利福平对细胞进行染毒,CCK8法检测细胞活力,根据结果选取适用于本研究的染毒浓度(50、100、200μmol... 目的:探究利福平(Rifampicin,RFP)调节NRF2/NQO1通路对小鼠肝细胞AML12造成的影响。方法:培养正常的小鼠肝细胞系AML12。采用不同浓度的利福平对细胞进行染毒,CCK8法检测细胞活力,根据结果选取适用于本研究的染毒浓度(50、100、200μmol/L)。采用微孔板法检测AML12细胞内过氧化氢酶(Catalase,CAT)、超氧化物歧化酶(Superoxide dismutase,SOD)活力以及丙二醛(Malondialdehyde,MDA)的含量;采用流式细胞仪检测细胞内活性氧(Reactive oxygen species,ROS)含量以及通过检测JC-1荧光探针分析线粒体内膜电位变化;采用qRT-PCR方法测定NQO1、SOD、NRF2基因的mRNA表达水平,Western Blot法检测NRF2、NQO1的蛋白表达水平。结果:随着利福平染毒浓度的升高,AML12细胞活力也随之减少。与对照组相比,利福平染毒处理组中AML12细胞的MDA含量、CAT活力、ROS水平均升高,且随着染毒浓度的增加线粒体膜电位也随之升高,且差异均具有统计学意义(P<0.05)。与对照组相比,SOD活性以及NQO1、SOD、NRF2三个基因的mRNA表达水平随利福平染毒浓度上升有所降低,且差异具有统计学意义(P<0.05)。NQO1、NRF2的蛋白表达水平随利福平染毒浓度上升降低。结论:利福平可能通过NRF2/NQO1通路调节ROS对小鼠肝细胞AML12造成氧化损伤,且具有浓度依赖性。 展开更多
关键词 利福平 AML12细胞 氧化损伤
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Carbon nanotube transistors with graphene oxide films as gate dielectrics 被引量:4
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作者 fu wangyang LIU Lei +4 位作者 WANG WenLong WU MuHong XU Zhi BAI XueDong WANG EnGe 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2010年第5期828-833,共6页
Carbon nanomaterials,including the one-dimensional(1-D)carbon nanotube(CNT)and two-dimensional(2-D)graphene,are heralded as ideal candidates for next generation nanoelectronics.An essential component for the developme... Carbon nanomaterials,including the one-dimensional(1-D)carbon nanotube(CNT)and two-dimensional(2-D)graphene,are heralded as ideal candidates for next generation nanoelectronics.An essential component for the development of advanced nanoelectronics devices is processing-compatible oxide.Here,in analogy to the widespread use of silicon dioxide(SiO2)in silicon microelectronic industry,we report the proof-of-principle use of graphite oxide(GO)as a gate dielectrics for CNT field-effect transistor(FET)via a fast and simple solution-based processing in the ambient condition.The exceptional transistor characteristics,including low operation voltage(2 V),high carrier mobility(950 cm2/V-1 s-1),and the negligible gate hysteresis,suggest a potential route to the future all-carbon nanoelectronics. 展开更多
关键词 carbon-based nanoelectronics graphene oxide gate dielectrics
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