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用光电子谱与分子束技术研究Ni/C的加氢反应 被引量：2
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作者 席光康 f.steinbach W.Fohl 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1990年第3期175-180,共6页
运用光电子谱就地分析Ni/C样品表面在9D-575K温度范围的加氢反应.Ni/C样品的制备是通过分子束技术将CO在Ni表面化学吸附解离出C与Ni结合形成的.Ni/C样品形成后通H_2分子束观察表面加氢反应生成的中间产物随温度的变化. 实验表明。加氢... 运用光电子谱就地分析Ni/C样品表面在9D-575K温度范围的加氢反应.Ni/C样品的制备是通过分子束技术将CO在Ni表面化学吸附解离出C与Ni结合形成的.Ni/C样品形成后通H_2分子束观察表面加氢反应生成的中间产物随温度的变化. 实验表明。加氢反应生成CH_4诸过程中.由CH生成CH_2是最慢步骤,而生成CH则是最快步骤.C_2H_x及C_nH_x(n>2)等长链碳氢化合物也都是以CH为基础生成的.C在加氢过程中不仅作为反应物之一,而且也是很好的助催剂.有C存在的Ni/C样品能在远高于纯Ni表面的脱附温度下对氢进行化学吸附与转移. 展开更多
关键词 镍/碳 加氢反应 光电子谱 分子束
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