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光激发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化 Ⅰ.Al_2O_3相的表征与相转变 被引量：4
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作者 彭晓 王福会 d.r.clarke 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1055-1059,共5页
磁控溅射Co—Cr—Al(Y)纳米涂层在1000,1100和1200℃氧化一定时间后,用光激发荧光谱技术表征热生长的Al2O3相.发现氧化层局部区域存在由非稳态相向稳态相的转变,即: γ→θ→α;其转变过程随温度升高显著加快,并在1200℃下变得不明显.... 磁控溅射Co—Cr—Al(Y)纳米涂层在1000,1100和1200℃氧化一定时间后,用光激发荧光谱技术表征热生长的Al2O3相.发现氧化层局部区域存在由非稳态相向稳态相的转变,即: γ→θ→α;其转变过程随温度升高显著加快,并在1200℃下变得不明显.在相同温度下,Y明显减缓Al2O3相转变过程. 展开更多
关键词 光激发荧光谱术 A12O3 相转变 Co—Cr—Al(Y)纳米涂层 磁控溅射
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光激发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化 Ⅱ.Al_2O_3膜应力测量与分析 被引量：1
2
作者 彭晓 王福会 d.r.clarke 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1060-1064,共5页
用光激发荧光谱术分析测量磁控溅射Co—Cr-Al(Y)纳米涂层经1000,1100和1200℃氧化后Al2O3膜中的残余应力,获得如下结果: (1)残余应力随氧化温度升高而增大; (2)暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域; (3)两种涂层1000℃下... 用光激发荧光谱术分析测量磁控溅射Co—Cr-Al(Y)纳米涂层经1000,1100和1200℃氧化后Al2O3膜中的残余应力,获得如下结果: (1)残余应力随氧化温度升高而增大; (2)暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域; (3)两种涂层1000℃下形成的氧化膜中的残余应力相差不大,但在1100和1200℃下,含Y涂层形成的氧化膜中的残余应力比不含Y中的高.对实验结果进行了分析. 展开更多
关键词 光激发荧光谱术 A12O3 残余应力 磁控溅射Co—Cr—Al(Y) 纳米涂层
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