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GaAsSb /GaAs量子阱激光器结构的发光研究
被引量：
2
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作者
江德生
王江波
+8 位作者
c.navarro
陈志标
俞水清
S.Chaparro
S.Johnson
曹勇
张永航
江德生
梁晓甘
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第z1期7-10,共4页
研究了ＧａＡｓＳｂ/ＧａＡｓ应变量子阱及应变补偿量子阶激光器结构的光致发光和电注入发光．结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子附发光性能发生系统性变化,证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重要影响．同时,低温光...
研究了ＧａＡｓＳｂ/ＧａＡｓ应变量子阱及应变补偿量子阶激光器结构的光致发光和电注入发光．结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子附发光性能发生系统性变化,证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重要影响．同时,低温光致发光峰的波长随激发功率密度增大发生明显蓝移,具有Ⅱ类量子阱的特点．应变补偿量子阱激光器在波长为１．３μｍ附近激射,阈值电流密度约为１．８ｋＡ/ｃｍ２．
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关键词
GaAsSb
量子阱
激光
光致发光.
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职称材料
题名
GaAsSb /GaAs量子阱激光器结构的发光研究
被引量：
2
1
作者
江德生
王江波
c.navarro
陈志标
俞水清
S.Chaparro
S.Johnson
曹勇
张永航
江德生
梁晓甘
机构
Electrical
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第z1期7-10,共4页
基金
美国科学基金会(批准号0070125)部分资助项目
文摘
研究了ＧａＡｓＳｂ/ＧａＡｓ应变量子阱及应变补偿量子阶激光器结构的光致发光和电注入发光．结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子附发光性能发生系统性变化,证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重要影响．同时,低温光致发光峰的波长随激发功率密度增大发生明显蓝移,具有Ⅱ类量子阱的特点．应变补偿量子阱激光器在波长为１．３μｍ附近激射,阈值电流密度约为１．８ｋＡ/ｃｍ２．
关键词
GaAsSb
量子阱
激光
光致发光.
Keywords
GaAsSb, quantum well, laser, photolunlinescence.
分类号
TN24 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAsSb /GaAs量子阱激光器结构的发光研究
江德生
王江波
c.navarro
陈志标
俞水清
S.Chaparro
S.Johnson
曹勇
张永航
江德生
梁晓甘
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
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