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静态功耗电流测量在CMOS IC缺陷检测中的应用
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作者 c.f.hawkins 邓些鹏 张宁 《微电子测试》 1994年第1期39-48,10,共11页
静态功耗电流(I_(DDQ))测量是一种检测CMOS集成电路(IC)缺陷的非常有效的方法。这种方法能独到地检测出CMOS IC中的一些缺陷,如栅氧短路、PN结缺陷、寄生晶体管漏电。此外,监控I_(DDQ)可以检测到所有固定型故障,其优点是所用的节点翻转... 静态功耗电流(I_(DDQ))测量是一种检测CMOS集成电路(IC)缺陷的非常有效的方法。这种方法能独到地检测出CMOS IC中的一些缺陷,如栅氧短路、PN结缺陷、寄生晶体管漏电。此外,监控I_(DDQ)可以检测到所有固定型故障,其优点是所用的节点翻转测试集,它的测试向量比固定型测试集的测试向量少。研究了从三个不同硅片生产地来的各个CMOS IC,对于给定的测试集,它们的I_(DDQ)状态增大的形态各不相同。当在传统功能测试集中增加I_(DDQ)测试时,微处理器、RAM和ROM等CMOS IC的失效增加了60～128％。 展开更多
关键词 MOS 集成电路 功耗电流 测量 缺陷
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