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Si基多孔SiO_2薄膜的驻极体性能 被引量：1
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作者 张晓青 Wedel a +2 位作者 buechtemann a 夏钟福 张冶文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期491-496,共6页
通过控制制备工艺条件和充电参数，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减，开路热刺激放电电流谱等，考察了利用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法制备的Ｓｉ基多孔ＳｉＯ２薄膜的驻极体性能，分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间... 通过控制制备工艺条件和充电参数，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减，开路热刺激放电电流谱等，考察了利用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法制备的Ｓｉ基多孔ＳｉＯ２薄膜的驻极体性能，分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系，同时利用Ｇａｕｓｓ拟合及初始上升法对薄膜驻极体的电有陷阱深度进行了估算．实验结果表明，反应物中水的含量对薄膜驻极体的陷阱分布具有调节作用；估算出负电晕充电ＳｉＯ２薄膜驻极体电荷的活化能为０．３ｅＶ和１．０ｅＶ；环境湿度对电荷储存稳定性有一定的影响，降低栅压可以提高ＳｉＯ２薄膜驻极体的电荷储存稳定性． 展开更多
关键词 驻极体 性能 二氧化硅 多孔薄膜 溶胶-凝胶法 电荷储存稳定性
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