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Er离子注入GaP,GaAs,InP的二次离子质谱(SIMS)的研究
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作者 陈辰嘉 王学忠 +5 位作者 周必忠 陈世帛 雷红兵 李仪 李菊生 bottazzip 《发光快报》 EI CAS CSCD 1994年第1期71-73,共3页
近年来掺稀土元素的Ⅲ—V族化合物研究在基础物理和器件应用方面都越来越引起人们的关注,其中又由于Er<sup>3+</sup>的<sup>4</sup>I<sub>13/2</sub>—4<sup>I</sup>——（15/2）的特... 近年来掺稀土元素的Ⅲ—V族化合物研究在基础物理和器件应用方面都越来越引起人们的关注,其中又由于Er<sup>3+</sup>的<sup>4</sup>I<sub>13/2</sub>—4<sup>I</sup>——（15/2）的特征发光波长为1.54μm,恰好对应于石英光纤的低损耗区,且离子注入技术简单易行,因而倍受重视.国际上已报道了不少有关Er注入Ⅲ—V族化合物的研究,大多选用较低的注入剂量(约10<sup>12</sup>～10<sup>14</sup>Er/cm<sup>2</sup>),而对较高剂量的注入有待于进一步研究. 展开更多
关键词 离子注入 铒 二次离子质谱 砷化镓
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