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与硅铝壳加厚作用和剪切摩擦带有关的英安质岩石和高T-P变质岩
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作者 Sanchez C.V. +6 位作者 Lapuente M.P. auque L.F.Fernanandcz J.Guaras B. 刘俊来 《世界地质》 CAS CSCD 1991年第1期46-47,共2页
西班牙的英安质岩石分布于各种地质环境中,年龄从古生代至第三纪。许多火山岩都含有变质岩包体(包体中含有刚玉、尖晶石、矽线石)和孤立的晶体,主要为石榴石。本文中,把英安质岩石及其中变质岩包体的成因归咎于深熔作用及一定围岩的转化... 西班牙的英安质岩石分布于各种地质环境中,年龄从古生代至第三纪。许多火山岩都含有变质岩包体(包体中含有刚玉、尖晶石、矽线石)和孤立的晶体,主要为石榴石。本文中,把英安质岩石及其中变质岩包体的成因归咎于深熔作用及一定围岩的转化,这次作用出现在高T-P条件与高的化学活动性,它们与断层作用剪切摩擦带处硅铝壳加厚现象有关。地壳加厚现象则与幔源硅铝质的成因有关。这种硅铝壳加厚现象以及“年轻花岗岩体”的形成包括了巨大能量的产生,后者在许多情况下是通过深断层释放的。这些断层主要形成于加厚带的构造破裂带(穹窿边缘)。在这种断层带中,随着由上地幔物质间硅铝壳物质的转化而释放出的“初始”能,也有“次生”能的产生。这种能具有机械能特点,是由硅铝质地块的相对位移产生的,因而转化成热能。__ 在这些穹状断层带中,在适合的构造条件下也可以达到高压,比如当这些活动断层被“不穿透(impermeable)”沉积盖层“化石化”(终结)时。在这种断层带中有许多活动的与活性的化学元素从围岩或深源释放出来。在西班牙,与英安质岩石有关的穹状断层带中的物质为泥屑岩、杂砂岩。 展开更多
关键词 英安质岩石 变质岩 高T-P 硅铝壳
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