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题名新型复合纳米压印膜结构的研究
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作者
杨志伟
asim abas
张雪陶
曹元勋
张杰
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机构
吉林工业职业技术学院智能制造学院
中国科学院合肥物质科学研究院
菏泽学院机电工程学院
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出处
《功能材料与器件学报》
CAS
2024年第3期153-157,共5页
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基金
2024年度吉林省教育厅科学研究项目“新型自加热复合纳米压印膜的制备及应用”(JJKH20241130KJ)
吉林工业职业技术学院2024年度科学研究课题“基于薄膜剥离仿真法进行高质量半导体芯片离子掺杂的研究与开发”(课题编号:24KY12KJY)的研究成果之一
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文摘
本研究提出了一种新型复合纳米压印膜结构,以三明治结构为基础,采用弹性硅胶将柔性非扩张平面基底包裹。工艺包括在图形基板涂覆液态硅胶并固化,精准放置柔性非扩张平面基底,最后涂覆一层硅胶,形成硅胶压印区/柔性基底/硅胶保护区的三明治结构。该技术解决了单一柔性材料难以剥离和弹性材料压印过程中扩张现象导致的线宽波动问题。
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关键词
复合纳米压印膜
三明治结构
非扩张平面基底
线宽波动
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Keywords
Composite Nanoimprint film
Sandwich Structure
Non Expanding Planar Base
Line
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名蓝宝石衬底在氮化镓外延生长技术中的应用进展
被引量：1
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作者
杨志伟
asim abas
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机构
吉林工业职业技术学院智能制造学院
中国科学院合肥物质科学研究院
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出处
《山东工业技术》
2024年第3期33-40,共8页
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基金
2024年度吉林省教育厅科学研究项目“新型自加热复合纳米压印膜的制备及应用”(JJKH20241130KJ)。
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文摘
第三代半导体技术主要涉及宽禁带半导体材料,其中氮化镓(GaN)材料因其卓越的电学和热学性能而受到广泛关注,特别是它们在高温、高功率和高频率环境下的应用潜力。在这一研究领域中,蓝宝石衬底(α-Al_(2)O_(3))主要为单晶氧化铝材料,其主要作为基板材料应用于氮化镓(GaN)外延生长技术中。蓝宝石衬底在提高GaN薄膜质量的同时,也为高性能第三代半导体器件的制造提供关键支持。本文就蓝宝石衬底的加工工艺、应用领域及面临的挑战进行进一步阐述。
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关键词
宽禁带
蓝宝石衬底
单晶氧化铝
氮化镓
外延生长
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Keywords
wide bandgap
sapphire
single crystal aluminum oxide
gallium nitride
epitaxial growth
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分类号
TM23
[一般工业技术—材料科学与工程]
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