高折射率镜头推动浸没式光刻跨越32纳米 被引量：2

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2006年第6期15-15,共1页

在今年的SPIE Microlithography年会上，与会的专家们一如既往地针对如何延伸光学光刻技术使用寿命的问题进行了大量的研讨。而与往年会议不同的是，尽管有人心存疑虑，但今年的会议仍然对双重曝光技术打开了友善之门。关于这项技术，... 在今年的SPIE Microlithography年会上，与会的专家们一如既往地针对如何延伸光学光刻技术使用寿命的问题进行了大量的研讨。而与往年会议不同的是，尽管有人心存疑虑，但今年的会议仍然对双重曝光技术打开了友善之门。关于这项技术，普遍的问题是如何妥善地解决图形套准的问题，对于逻辑电路芯片的生产工艺而言，由于其没有大量的密集线条，因此也就能够较好地归避上述的风险。 展开更多

关键词 光学光刻技术 32纳米 高折射率 浸没式 跨越 镜头 SPIE 使用寿命 曝光技术 生产工艺

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先进光刻技术大步向前 被引量：2

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2006年第5期22-22,共1页

正如半导体国际杂志上所说的那样，在今年的SPIE Microlithography会议上，光刻领域的技术专家们共聚一堂并发表了他们的最新研究成果。毫无疑问本次会议将会产生更多的新闻和技术热点，而近来公布的一些关于前沿浸没式光刻技术和极紫... 正如半导体国际杂志上所说的那样，在今年的SPIE Microlithography会议上，光刻领域的技术专家们共聚一堂并发表了他们的最新研究成果。毫无疑问本次会议将会产生更多的新闻和技术热点，而近来公布的一些关于前沿浸没式光刻技术和极紫外光刻技术（EUV）的新闻以及研究成果已经受到了广泛的关注和极大的重视。 展开更多

关键词 极紫外光刻技术 研究成果 SPIE 技术专家 技术热点 半导体 浸没式 会议 新闻

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EUV掩膜版清洗——Intel的解决之道 被引量：2

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2008年第6期I0001-I0001,共1页

对于极紫外（EUV）光刻技术而言，掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟．而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在的碳和氧元素对于EUV光线具有极强的吸收能力，在Texas州... 对于极紫外（EUV）光刻技术而言，掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟．而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在的碳和氧元素对于EUV光线具有极强的吸收能力，在Texas州Austin召开的表面预处理和清洗会议上，针对EUV掩膜版清洗方面遇到的问题和挑战， 展开更多

关键词 掩膜版 EUV 清洗 表面预处理 光刻技术 污染问题 抗反射膜 吸收能力

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纳米压印模板需要高质量的检测技术 被引量：1

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2006年第3期13-13,共1页

纳米压印光刻经学术和行业团体近十年的研究之后，已逐渐开始对半导体行业产生引导作用。简单地讲，纳米压印是把一个1×的模板压进一个柔性层，从而在衬底上制作图形。斯坦福大学的电子工程教授Fabian Pease说：“它引人注意之处... 纳米压印光刻经学术和行业团体近十年的研究之后，已逐渐开始对半导体行业产生引导作用。简单地讲，纳米压印是把一个1×的模板压进一个柔性层，从而在衬底上制作图形。斯坦福大学的电子工程教授Fabian Pease说：“它引人注意之处是具有半导体行业现在非常感兴趣的分辨率，即远低于100nm的线条，而在这个范围内，如果无法用纳米压印光刻来实现，光学光刻将变得很昂贵。” 展开更多

关键词 纳米压印 压印模板 检测技术 半导体行业 质量 压印光刻 斯坦福大学 电子工程 光学光刻 柔性层

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LuAG高折射率材料获得突破性进展 被引量：1

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2008年第5期I0001-I0001,I0004,共2页

尽管在45nm技术节点上，绝大部分的芯片制造商都将采用侵没式光刻技术，但是对于32nm而言，哪一种技术才是最佳选择目前还没有定论。其中，一种可能的解决方案就是采用高折射率材料进一步延伸浸没式光刻技术的使用寿命。然而，之前针对... 尽管在45nm技术节点上，绝大部分的芯片制造商都将采用侵没式光刻技术，但是对于32nm而言，哪一种技术才是最佳选择目前还没有定论。其中，一种可能的解决方案就是采用高折射率材料进一步延伸浸没式光刻技术的使用寿命。然而，之前针对这项技术的研究并不乐观。 展开更多

关键词 高折射率 材料 突破性 技术节点 光刻技术 芯片制造商 使用寿命 浸没式

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光刻专家探讨32nm节点的选择方案 被引量：1

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2007年第3期40-40,共1页

在最近这段时间．继续推动光刻技术发展的保障似乎来自于几个不同的方向。在Semiconductor International最新的技术webcast“32nm光刻：寻找合适的解决方案”中．四位业界专家聚在一起来讨论高折射率浸没式、双重图形．EUV、纳米压印... 在最近这段时间．继续推动光刻技术发展的保障似乎来自于几个不同的方向。在Semiconductor International最新的技术webcast“32nm光刻：寻找合适的解决方案”中．四位业界专家聚在一起来讨论高折射率浸没式、双重图形．EUV、纳米压印、电子束和光学无掩膜等光刻技术的优缺点。这四位专家分别是IMEC先进光刻技术主管KurtRonse、Sematech浸没式光刻项目经理BryanRice、德州大学奥斯汀分校Rashid Engineering董事会主席Grant Willson和麻省理工学院电气工程的教授Hank Smith分别介绍了上述这些技术领域的最新进展。虽然在某种程度上．所有这些技术都表现出相当大的潜力．但是为了满足32nm节点关键层的大规模生产要求．它们都面临着巨大的挑战。 展开更多

关键词 光刻技术 SEMICONDUCTOR 专家 节点 麻省理工学院 SMITH 大规模生产 高折射率

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日益增多的工艺需求关注新的晶圆清洗方法(英文) 被引量：1

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作者 aaron hand 《电子工业专用设备》 2009年第2期28-32,共5页

随着器件结构尺寸的缩小,在保持低材料损失的同时去除粒子正变得越来越难以实现。而且围绕材料和器件结构保持器件避免损伤、侵袭或以其他方式修改也日益困难,包括掺杂硅损失,低-k电介质k值的变化,金属栅极腐蚀,图形倒塌等等。在32nm及... 随着器件结构尺寸的缩小,在保持低材料损失的同时去除粒子正变得越来越难以实现。而且围绕材料和器件结构保持器件避免损伤、侵袭或以其他方式修改也日益困难,包括掺杂硅损失,低-k电介质k值的变化,金属栅极腐蚀,图形倒塌等等。在32nm及以下节点,所有这些,将会更加严峻。因而,需要建立一个下一步如何进行晶圆清洗的转变模式。 展开更多

关键词 除胶 金属栅清洗 单晶圆清洗 兆声清洗

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光掩膜厂商在浸没式光刻时代的生存之道

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2006年第7期28-28,共1页

在不久前召开的SPIE Microlithography（国际光学工程学会微光刻技术年度会议）上，BACUS（国际光掩膜技术学会）组织了一次圆桌会议，来自光刻技术领域的专家们就193纳米浸没式光刻技术中光掩膜工艺的发展趋势展开了激烈的讨论。会议... 在不久前召开的SPIE Microlithography（国际光学工程学会微光刻技术年度会议）上，BACUS（国际光掩膜技术学会）组织了一次圆桌会议，来自光刻技术领域的专家们就193纳米浸没式光刻技术中光掩膜工艺的发展趋势展开了激烈的讨论。会议的中心话题为光掩膜制造商是沉是浮？ 展开更多

关键词 微光刻技术 掩膜技术 浸没式 国际光学工程学会 厂商 圆桌会议 SPIE 发展趋势 膜工艺 制造商

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超高数值孔径浸没式光刻面临的挑战:偏振效应

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2006年第3期16-20,21,共6页

浸没式光刻要实现32纳米技术乃至进一步向下延伸,在高折射率液体,光学镜头以及光刻胶等关键技术领域需要不断取得突破性的进展。为了得到更高的分辨率,超高数值孔径浸没式光刻技术势在必行,由此而产生的光学偏振问题会日益突出,现在光... 浸没式光刻要实现32纳米技术乃至进一步向下延伸,在高折射率液体,光学镜头以及光刻胶等关键技术领域需要不断取得突破性的进展。为了得到更高的分辨率,超高数值孔径浸没式光刻技术势在必行,由此而产生的光学偏振问题会日益突出,现在光刻领域的专家已经开始着手解决这个问题。 展开更多

关键词 高数值孔径 浸没式 偏振效应 刻 纳米技术 光刻胶 高折射率 光学镜头 势在必行 光刻技术

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光刻模拟引领技术前沿

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2006年第9期23-29,共7页

随着半导体制造工艺迈进130纳米乃至更先进的技术节点,光刻技术由一门技术转变为一项科学已经成为一种无法逆转的趋势。现在生产商们正致力于提高技术的研发速度和成功率力求进一步提高产品的合格率以及尽早的抢占市场。

关键词 模拟技术 光刻模拟 技术发展趋势 集成电路芯片 光刻技术 光刻工艺 电路元件 复杂程度 优化表 光波长

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光刻专家评选浸没式和EUV光刻技术

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2006年第9期31-31,共1页

根据5月份在温哥华举行的受邀光刻技术论坛披露的报告，最新发布的国际半导体技术蓝图（ITRS）中，半导体厂商和供应商就光刻的前景和未来达成了普遍的共识。对各项最新的光刻技术的研究表明，193纳米浸没式光刻技术将成为量产45纳米节... 根据5月份在温哥华举行的受邀光刻技术论坛披露的报告，最新发布的国际半导体技术蓝图（ITRS）中，半导体厂商和供应商就光刻的前景和未来达成了普遍的共识。对各项最新的光刻技术的研究表明，193纳米浸没式光刻技术将成为量产45纳米节点产品的首选，而EUV（极紫外）光刻技术将在32纳米节点上大展拳脚。 展开更多

关键词 光刻技术 EUV 浸没式 半导体技术 评选 专家 32纳米 技术论坛 温哥华 供应商

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下一代光刻技术(NGL)永无登场之日吗?

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作者 aaron hand 卢文豪 《中国集成电路》 2002年第12期56-60,共5页

最近Semiconductor International与里德调研公司合作,向光刻工作者调查了对下一代光刻技术的要求与前景展望。果然不出所料,受访者似乎十分愿意尽可能延长使用光学光刻技术。

关键词 掩模版 光学光刻技术 电子束光刻技术 下一代光刻技术 光刻设备 新工艺 光刻工艺 相移掩模 保护膜 光源

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研究制定纳米印刷技术的标准

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2006年第8期24-24,共1页

纳米印刷光刻技术能够广泛的采用各种高分子有机材料制造微米乃至纳米尺寸的器件。这项技术使用1X的模具，因此能够以较为低廉的成本制造光学器件、分子生物器件、微机电系统甚至也许能够成为32纳米节点乃至更先进半导体技术的主流制造... 纳米印刷光刻技术能够广泛的采用各种高分子有机材料制造微米乃至纳米尺寸的器件。这项技术使用1X的模具，因此能够以较为低廉的成本制造光学器件、分子生物器件、微机电系统甚至也许能够成为32纳米节点乃至更先进半导体技术的主流制造工艺。其工艺难点在于高分子有机材料的流动性无法预测，这将降低压印工具的图形均匀性表现从而引起损失良率。 展开更多

关键词 纳米尺寸 印刷技术 制造工艺 标准 光学器件 有机材料 半导体技术 微机电系统 光刻技术

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C-Si太阳能制造商详解降低成本的方法

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2009年第10期29-30,共2页

在Intersolar North America关于“晶体硅制造”分会上，围绕降低多晶硅制造成本这一话题，太阳能电池和多晶硅供应商对降低成本的需求和实现方法进行了探讨。对太阳能产业的普遍认知是，这项技术还是太过昂贵，尽管其成本已经有所降低... 在Intersolar North America关于“晶体硅制造”分会上，围绕降低多晶硅制造成本这一话题，太阳能电池和多晶硅供应商对降低成本的需求和实现方法进行了探讨。对太阳能产业的普遍认知是，这项技术还是太过昂贵，尽管其成本已经有所降低，但仍只是总成本的一小部分，并没有实质性的改善。 展开更多

关键词 太阳能电池 低成本 制造商 详解 太阳能产业 制造成本 多晶硅 晶体硅

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IMEC采用机械叠层方式制造出GaAs/Ge多结太阳能电池

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2009年第12期28-28,共1页

IMEC已经成功的采用机械叠层的方法在锗电池上集成了GaAs电池，朝转化效率高于40％的三结太阳能电池迈进了一步。与单光刻多结电池不同，机械叠层结构无需进行电流匹配和晶格匹配。

关键词 GAAS/GE 太阳能电池 叠层结构 机械 多结 制造 转化效率 晶格匹配

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太阳能光伏为反弹做好准备

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2009年第8期26-26,共1页

经济危机不断深入,并且与产业周期的低谷共同作用,半导体产业的生存压力日渐增大。越来越多的器件制造商和代工厂开始在光伏领域寻找机会以期度过财政难关。市场分析公司IC Insights(亚利桑那州,Scottsdale)主要集中在半导体领域,目前... 经济危机不断深入,并且与产业周期的低谷共同作用,半导体产业的生存压力日渐增大。越来越多的器件制造商和代工厂开始在光伏领域寻找机会以期度过财政难关。市场分析公司IC Insights(亚利桑那州,Scottsdale)主要集中在半导体领域,目前也开始向PV产业转移,开始为半导体产业的企业进入这个新兴市场提供帮助。 展开更多

关键词 半导体产业 制造商 领域 太阳能光伏 薄膜技术 装机容量 发电容量 晶体硅

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太阳能产业不能仅依赖于效率

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2009年第8期16-16,共1页

对那些追踪不同太阳能技术的人来说,很容易的事情就是直接去查效率数字,并且认为低转换效率的技术无法进入实际应用。

关键词 太阳能产业 成本 财政管理 太阳能组件 晶体硅 薄膜技术 硅电池 硅太阳能电池

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DFM,设计限制使双重图形成为可能

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2008年第1期34-34,共1页

Texas Instruments（TI）设计数据集成部主管Mark Mason指出：尽管157纳米乃至126纳米光学波长曾经一度被视为未来的光刻技术解决方案，极紫外线光刻技术（EUV）也被推测可能早于预期崭露头角，但是事与愿违，目前来看，用于生产下几代... Texas Instruments（TI）设计数据集成部主管Mark Mason指出：尽管157纳米乃至126纳米光学波长曾经一度被视为未来的光刻技术解决方案，极紫外线光刻技术（EUV）也被推测可能早于预期崭露头角，但是事与愿违，目前来看，用于生产下几代半导体芯片的光刻技术的曝光波长将止步于193纳米。“这将对掩膜版制造提出更高的要求，”他说，“事实上，纵览整个分辨率增强技术（RET）的发展过程，这一理念始终被贯穿其中。” 展开更多

关键词 设计 DFM 分辨率增强技术 图形 光刻技术 纳米光学 半导体芯片 MARK

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雾状缺陷每年花费10亿美元,仍被误解

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2008年第7期30-30,32,共2页

在半导体行业有据可查的范围中，微污染是对产率影响最大的因素，它让业界每年耗费约10亿美元，但半导体fab对其仍然知之甚少。“尽管半导体产业是一个成熟的产业，但在理解微污染方面仍处于初级阶段，”Grenon Consulting Inc．的Bria... 在半导体行业有据可查的范围中，微污染是对产率影响最大的因素，它让业界每年耗费约10亿美元，但半导体fab对其仍然知之甚少。“尽管半导体产业是一个成熟的产业，但在理解微污染方面仍处于初级阶段，”Grenon Consulting Inc．的Brian J．Grenon指出。据Grenon介绍，雾状缺陷是可见或可印刷的晶体结构，从污染生长而来，已是困扰半导体业界长达十年以上的大问题。半导体制造商们至今还未能提出良好的解决方案。 展开更多

关键词 美元 缺陷 半导体行业 半导体产业 年花 半导体制造商 微污染 晶体结构

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薄膜光伏技术覆盖更宽的光谱范围

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作者 aaron hand 《集成电路应用》 2008年第9期26-28,共3页

尽管薄膜硅太阳能电池的转换效率并不能和当今的主流技术相媲美,然而一旦考虑每千瓦(特)小时能量的生产成本,这项技术就能够脱颖而出。随着半导体和平板技术的发展,薄膜硅太阳能技术将能够帮助太阳能产业实现预期的宏伟目标,即太阳能发... 尽管薄膜硅太阳能电池的转换效率并不能和当今的主流技术相媲美,然而一旦考虑每千瓦(特)小时能量的生产成本,这项技术就能够脱颖而出。随着半导体和平板技术的发展,薄膜硅太阳能技术将能够帮助太阳能产业实现预期的宏伟目标,即太阳能发电成本与现有电力成本持平。 展开更多

关键词 光伏技术 光谱范围 薄膜 硅太阳能电池 覆盖 太阳能产业 太阳能技术 转换效率

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