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750keV,50mA H^-RFQ预注入器调整结果
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作者 张华顺 a.schempp +3 位作者 G.Winter N.Schirm K.H.Pape 王书鸿 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期32-37,共6页
文章介绍西德DESY研究所750keV负氢离子预注入器的调整结果。通过提高弧流,磁控管型H^-离子源可以引出18keV,60—80mA的H^-脉冲离子流。发现外部磁场可以在螺旋管内部感生一个方向大体相同的磁场。在低能输运段,离子束空间电荷中和所需... 文章介绍西德DESY研究所750keV负氢离子预注入器的调整结果。通过提高弧流,磁控管型H^-离子源可以引出18keV,60—80mA的H^-脉冲离子流。发现外部磁场可以在螺旋管内部感生一个方向大体相同的磁场。在低能输运段,离子束空间电荷中和所需的时间约100μs。在离子源引出束流约65mA时,经两对螺旋管聚焦和RFQ加速后可以获得能量为750±8.8keV,聚团半宽度约0.8ns,发射度约3mm·mrad,束流为52mA的脉冲H^-流;其中33mA以上的束流处于1mm·mrad以内。 展开更多
关键词 预注入器 RFQ 负氢离子源 加速器
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