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微机械多晶硅薄膜热敏电阻特性研究
被引量:
1
1
作者
胡明
杨龙
a.m.robinson
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1999年第5期420-424,共5页
将1.5 μm CMOS工艺和各向异性腐蚀工艺结合,制作出电阻温度系数为1.1×10- 3·°C- 1的微机械多晶硅薄膜电阻。理论分析了多晶硅薄膜结构对多晶硅薄膜电阻率的影响,对电阻样品的室温电阻、电阻温度系数。
关键词
多晶硅薄膜
微机械
热敏电阻
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职称材料
多重嵌套悬臂梁结构磁致动微机械偏转器
2
作者
胡明
B.Shen
+1 位作者
W.Allegretto
a.m.robinson
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期122-123,117,共3页
设计并制做了一种新型多重嵌套悬臂梁结构的磁致动微机械偏转器 .偏转器由 1 2 μmCMOS工艺和各向异性腐蚀工艺制成 .致动原理是电流与磁场的相互作用在悬梁上产生罗仑兹力 .测量了偏转器的静态和动态特性 .测量结果表明 ,这种微偏转器...
设计并制做了一种新型多重嵌套悬臂梁结构的磁致动微机械偏转器 .偏转器由 1 2 μmCMOS工艺和各向异性腐蚀工艺制成 .致动原理是电流与磁场的相互作用在悬梁上产生罗仑兹力 .测量了偏转器的静态和动态特性 .测量结果表明 ,这种微偏转器的特点是可双向偏转且偏转角度大且具有快的时间响应 .
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关键词
悬臂梁
微机械
磁致动
偏转器
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职称材料
恒定直流功率负荷下多晶硅微电阻电阻一时间特性测量
3
作者
胡明
a.m.robinson
《电子测量与仪器学报》
CSCD
1999年第3期24-28,共5页
利用数字式恒定功率测试系统(DCPS)对多晶硅微电阻进行恒定直流功率负荷下电阻随时间变化特性的测量实验。用标准CMOS工艺和后续的腐蚀工艺制成悬浮结构多晶硅微电阻。测试结果表明,在恒定直流功率条件下工作的微电阻的稳定...
利用数字式恒定功率测试系统(DCPS)对多晶硅微电阻进行恒定直流功率负荷下电阻随时间变化特性的测量实验。用标准CMOS工艺和后续的腐蚀工艺制成悬浮结构多晶硅微电阻。测试结果表明,在恒定直流功率条件下工作的微电阻的稳定性由临界功率P_(cri)值决定,当负荷于电阻上的恒定直流功率P≤P_(cri)时,电阻值在负荷时间内保持常量;当P>P_(cri)时,电阻值随时间增加而增加。临界功率值决定于流过电阻的电流密度、电阻结构尺寸以及环境温度。计算得到多晶硅薄膜的临界电流密度为 10~5A/cm~2数量级,不同于集成电路中的多晶硅薄膜的相应数值。
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关键词
恒定功率
多晶硅微电阻
微机械传感器
临界功率
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职称材料
题名
微机械多晶硅薄膜热敏电阻特性研究
被引量:
1
1
作者
胡明
杨龙
a.m.robinson
机构
天津大学信息工程学院
UniversityofAlberta
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1999年第5期420-424,共5页
文摘
将1.5 μm CMOS工艺和各向异性腐蚀工艺结合,制作出电阻温度系数为1.1×10- 3·°C- 1的微机械多晶硅薄膜电阻。理论分析了多晶硅薄膜结构对多晶硅薄膜电阻率的影响,对电阻样品的室温电阻、电阻温度系数。
关键词
多晶硅薄膜
微机械
热敏电阻
Keywords
polysilicon th in films
micromachining
thermistor res istor
分类号
TN370.4 [电子电信—物理电子学]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
多重嵌套悬臂梁结构磁致动微机械偏转器
2
作者
胡明
B.Shen
W.Allegretto
a.m.robinson
机构
天津大学电子信息工程学院
阿尔伯塔大学电气工程系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期122-123,117,共3页
文摘
设计并制做了一种新型多重嵌套悬臂梁结构的磁致动微机械偏转器 .偏转器由 1 2 μmCMOS工艺和各向异性腐蚀工艺制成 .致动原理是电流与磁场的相互作用在悬梁上产生罗仑兹力 .测量了偏转器的静态和动态特性 .测量结果表明 ,这种微偏转器的特点是可双向偏转且偏转角度大且具有快的时间响应 .
关键词
悬臂梁
微机械
磁致动
偏转器
Keywords
cantilever
micromachined
magnetic actuation
deflcetor
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
恒定直流功率负荷下多晶硅微电阻电阻一时间特性测量
3
作者
胡明
a.m.robinson
机构
天津大学电子信息工程学院
出处
《电子测量与仪器学报》
CSCD
1999年第3期24-28,共5页
文摘
利用数字式恒定功率测试系统(DCPS)对多晶硅微电阻进行恒定直流功率负荷下电阻随时间变化特性的测量实验。用标准CMOS工艺和后续的腐蚀工艺制成悬浮结构多晶硅微电阻。测试结果表明,在恒定直流功率条件下工作的微电阻的稳定性由临界功率P_(cri)值决定,当负荷于电阻上的恒定直流功率P≤P_(cri)时,电阻值在负荷时间内保持常量;当P>P_(cri)时,电阻值随时间增加而增加。临界功率值决定于流过电阻的电流密度、电阻结构尺寸以及环境温度。计算得到多晶硅薄膜的临界电流密度为 10~5A/cm~2数量级,不同于集成电路中的多晶硅薄膜的相应数值。
关键词
恒定功率
多晶硅微电阻
微机械传感器
临界功率
Keywords
Constant power
Polysilicon microresistor
Micromechanical sensor
Critical power
分类号
TH-39 [机械工程]
TM934.1 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微机械多晶硅薄膜热敏电阻特性研究
胡明
杨龙
a.m.robinson
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1999
1
在线阅读
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职称材料
2
多重嵌套悬臂梁结构磁致动微机械偏转器
胡明
B.Shen
W.Allegretto
a.m.robinson
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
恒定直流功率负荷下多晶硅微电阻电阻一时间特性测量
胡明
a.m.robinson
《电子测量与仪器学报》
CSCD
1999
0
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职称材料
已选择
0
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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