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KOH侧壁处理对GaN基微发光二极管阵列的光谱特性影响
1
作者 兰金华 聂君扬 +5 位作者 张恺馨 杨天溪 陶涛 智婷 孙捷 严群 《光电子技术》 2025年第3期204-210,218,共8页
Micro-LED在刻蚀过程中会在台面(MESA)侧壁区域引入缺陷和悬挂键等,导致外量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)随MESA尺寸减小而急剧下降,并表现出显著的尺寸特性。为了解决小尺寸Micro-LED显示阵列效率低下的问题,在同一蓝宝石... Micro-LED在刻蚀过程中会在台面(MESA)侧壁区域引入缺陷和悬挂键等,导致外量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)随MESA尺寸减小而急剧下降,并表现出显著的尺寸特性。为了解决小尺寸Micro-LED显示阵列效率低下的问题,在同一蓝宝石基外延片上制备了6种不同发光台面尺寸的片上集成无源矩阵Micro-LED阵列器件,采用KOH处理消除Micro-LED台面的侧壁缺陷,并系统性研究了KOH侧壁处理对不同MESA尺寸Micro-LED阵列器件光电性能的影响。实验结果表明,经过KOH侧壁处理的小尺寸Micro-LED阵列器件不仅外量子效率得到提升,还表现出很强的光谱稳定性。研究结果对于开展高性能Micro-LED显示器件研究具有重要的参考价值,并为侧壁处理在Micro-LED的实际应用优化研究提供了参考依据。 展开更多
关键词 氮化镓 侧壁处理 发光二极管 光谱特性
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基于太赫兹时域光谱技术与PCA-BPN网络的转基因大豆鉴别（英文） 被引量：7
2
作者 聂君扬 张文涛 +3 位作者 熊显名 陈涛 占平平 涂闪 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期161-167,共7页
基于太赫兹波段内的光谱分析技术以及主成分特性分析与反向前馈神经网络建模,提出了一种转基因大豆鉴别方法.从光谱数据中提取累计方差贡献率达到97.582%的前8种主成分因子,并将其作为输入源导入神经网络模型,通过剔除冗余数据、降低数... 基于太赫兹波段内的光谱分析技术以及主成分特性分析与反向前馈神经网络建模,提出了一种转基因大豆鉴别方法.从光谱数据中提取累计方差贡献率达到97.582%的前8种主成分因子,并将其作为输入源导入神经网络模型,通过剔除冗余数据、降低数据维数,所建立的神经网络模型能准确识别校验集.该方法可以实现转基因大豆的快速、无损检测,在农业安全领域有广泛的应用前景. 展开更多
关键词 转基因大豆 太赫兹 主成分分析 反向前馈神经网络 无损检测
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大豆水分测定仪的设计与试验
3
作者 熊显名 唐绮雯 +2 位作者 张文涛 王心芒 聂君扬 《现代电子技术》 北大核心 2016年第20期117-120,共4页
为了实现大豆水分的便捷、快速和无损测量,基于近红外法设计一种以STM32F103为控制器,激光二极管、探测器和积分球为光路系统,信号处理电路和光电转换器为电路系统的大豆水分测定仪。以黄大豆为研究对象,通过试验分析黄大豆含水率对吸... 为了实现大豆水分的便捷、快速和无损测量,基于近红外法设计一种以STM32F103为控制器,激光二极管、探测器和积分球为光路系统,信号处理电路和光电转换器为电路系统的大豆水分测定仪。以黄大豆为研究对象,通过试验分析黄大豆含水率对吸收峰波长和参考波长光功率吸收的规律,建立黄大豆含水率与不同波长光吸收率的多元多次数学模型,并对模型的可靠性进行了检验。实验结果表明,所设计测定仪在黄大豆含水率在10.0%~20.0%范围内的绝对测量误差为-0.9%~2.2%,响应时间小于1.2 s。 展开更多
关键词 大豆 无损测量 含水量测定仪 光路设计
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基于近红外三波长法的小麦含水率检测系统设计
4
作者 熊显名 王心芒 +2 位作者 张文涛 聂君扬 唐绮雯 《江苏农业科学》 北大核心 2016年第10期390-393,共4页
针对小麦含水率检测快速、便捷的需求,设计基于近红外三波长法的小麦含水率检测系统,系统主要由ARM Cortex-M3主控芯片、激光二极管驱动电路、光电转换电路、积分球等组成。通过研究小麦含水率对3个不同波长光功率吸收的规律,结合五元... 针对小麦含水率检测快速、便捷的需求,设计基于近红外三波长法的小麦含水率检测系统,系统主要由ARM Cortex-M3主控芯片、激光二极管驱动电路、光电转换电路、积分球等组成。通过研究小麦含水率对3个不同波长光功率吸收的规律,结合五元三次多项式回归拟合方法,建立小麦含水率与3个不同波长光吸收率的数学模型,并对模型进行可靠性检验。与直接干燥法相比,系统对含水率为5.0%-10.3%的小麦的含水率绝对测量误差为-2.2%-0.8%,响应时间小于1.5 s,以达到实用的要求。 展开更多
关键词 小麦 籽粒含水率 近红外三波长法 无损检测
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高分辨率AM Micro-LED显示器设计及其驱动实现 被引量：11
5
作者 林杰泓 聂君扬 +3 位作者 张永爱 周雄图 严群 郭太良 《半导体光电》 CAS 北大核心 2020年第1期68-72,共5页
设计了一种基于蓝宝石衬底氮化镓基蓝色/绿色多量子阱LED外延片,利用成熟的LED芯片工艺制备了高像素Micro-LED芯片阵列;在Micro-LED芯片和CMOS驱动芯片表面设计并制备了金属凸点,采用高精度倒装焊接工艺实现LED显示芯片和CMOS驱动芯片... 设计了一种基于蓝宝石衬底氮化镓基蓝色/绿色多量子阱LED外延片,利用成熟的LED芯片工艺制备了高像素Micro-LED芯片阵列;在Micro-LED芯片和CMOS驱动芯片表面设计并制备了金属凸点,采用高精度倒装焊接工艺实现LED显示芯片和CMOS驱动芯片的良好键合,成功制备了分辨率为640×360的Micro-LED显示器。同时,以FPGA为控制器,设计了Micro-LED显示器的驱动系统,该驱动系统对输入的图像数据进行缓存并将其处理为显示器所能接收的单色图像数据,最后将处理后的图像数据写入驱动芯片并实现图像显示。 展开更多
关键词 Micro-LED 有源矩阵 驱动系统 FPGA 高分辨率
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高分辨率主动驱动型氮化镓基Micro-LED芯片的制备 被引量：2
6
作者 黄铭水 聂君扬 +8 位作者 刘明洋 李洋 潘魁 邓俐颖 杨天溪 黄忠航 孙捷 严群 郭太良 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2022年第12期1553-1560,共8页
本文设计并制备了一款分辨率为1920×1080的氮化镓基Micro-LED芯片。采用单次ICP(InductivelyCoupled Plasma)刻蚀的方法完成电流扩展层的图案化和台面刻蚀,实现了电流扩展层和台面的自对准。同时,在制作过程中用HMDS(Hexamethyldis... 本文设计并制备了一款分辨率为1920×1080的氮化镓基Micro-LED芯片。采用单次ICP(InductivelyCoupled Plasma)刻蚀的方法完成电流扩展层的图案化和台面刻蚀,实现了电流扩展层和台面的自对准。同时,在制作过程中用HMDS(Hexamethyldisiloxane)提高光刻胶附着力,从根本上提高小尺寸台面刻蚀的一致性和完整性。此外,通过垫高N型电极解决了传统倒装芯片中P型电极和N型电极不等高的问题,有利于显示芯片与驱动芯片的键合。该芯片尺寸为17.78 mm(0.7 in),发光单元尺寸为6μm,像素周期为8μm,像素密度达到3129 PPI。I-V测试数据表明,所制备的Micro-LED的开启电压仅为3.5 V。 展开更多
关键词 Micro-LED 高分辨率 倒装芯片 刻蚀
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大气氛围低温Au-Au薄膜键合的表面活化处理研究
7
作者 陈孔杰 聂君扬 +5 位作者 罗灿琳 周雄图 孙捷 严群 吴朝兴 张永爱 《光电子技术》 CAS 2023年第1期42-47,共6页
提出了一种在大气氛围和低温条件下实现Au-Au薄膜的金属键合技术,研究了不同表面活化处理时间对Au-Au薄膜表面粗糙度、Au-Au薄膜的键合质量和可靠性的影响。实验结果表明,Au薄膜表面粗糙度随着表面活化处理时间的增加先减少后增大,当表... 提出了一种在大气氛围和低温条件下实现Au-Au薄膜的金属键合技术,研究了不同表面活化处理时间对Au-Au薄膜表面粗糙度、Au-Au薄膜的键合质量和可靠性的影响。实验结果表明,Au薄膜表面粗糙度随着表面活化处理时间的增加先减少后增大,当表面活化处理时间为20min时,Au薄膜表面粗糙度均方根为6.9 nm,悬挂键数量和粗糙度达到一个相对平衡的关系,Au-Au薄膜键合后的平均剪切强度为131.8 MPa,最大剪切强度高达159.1 MPa。因此,Au薄膜表面理想的表面活化处理时间可有效地提高Au-Au薄膜键合质量和稳定性,为实现混合集成Micro-LED器件的低温金属键合提供理论指导。 展开更多
关键词 薄膜键合 表面活化处理 粗糙度 剪切强度 微米级发光二极管器件
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液态淀积法制备氧化铪薄膜
8
作者 刘义锋 聂君扬 +4 位作者 张恺馨 林畅 李敏 严群 孙捷 《光电子技术》 CAS 2023年第3期212-217,共6页
采用成本低廉、操作简单的液态淀积法成功制备了HfO_(2)薄膜,分析了液态淀积法制备氧化铪薄膜的反应机理,测试了薄膜的表面形貌、组成成分,以及光学特性和电学性能。结果表明:液态淀积法制备的氧化铪薄膜结构致密且连续,化学组分纯正;经... 采用成本低廉、操作简单的液态淀积法成功制备了HfO_(2)薄膜,分析了液态淀积法制备氧化铪薄膜的反应机理,测试了薄膜的表面形貌、组成成分,以及光学特性和电学性能。结果表明:液态淀积法制备的氧化铪薄膜结构致密且连续,化学组分纯正;经过500℃退火后,氧化铪薄膜的透光率在92%以上;以40 nm氧化铪为电介质制成平板电容后,当电压为1 V时漏电流密度是3.56×10^(-7)A/cm^(2);1 MHz频率下的电容值为1.05 nF,经计算得出介电常数为18.9。液态淀积法制备氧化铪薄膜的成功,为使用氧化铪薄膜作为Micro LED器件的侧壁钝化层提供了一种成本低廉、工艺简便的方法。 展开更多
关键词 液态淀积法 氧化铪薄膜 微米级发光二极管显示器
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(100)与(111)晶面硅基金属整片键合后选择性去衬底技术
9
作者 杜佳怡 聂君扬 +5 位作者 孙捷 林畅 吴大磊 杨天溪 黄忠航 严群 《光电子技术》 CAS 2023年第1期1-6,共6页
采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术,通过热压键合技术将(100)晶面硅与(111)晶面硅高温键合,利用聚二甲基硅氧烷保护(100)晶面硅衬底,再粗化(111)晶面硅衬底加快其刻蚀速率,后通过湿法选择性刻蚀去除(111)晶面硅衬底。此技术在不... 采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术,通过热压键合技术将(100)晶面硅与(111)晶面硅高温键合,利用聚二甲基硅氧烷保护(100)晶面硅衬底,再粗化(111)晶面硅衬底加快其刻蚀速率,后通过湿法选择性刻蚀去除(111)晶面硅衬底。此技术在不损伤硅基驱动芯片的前提下实现了选择性去除硅基氮化镓外延衬底,是一种材料混合集成的新技术,有望应用于自对准硅基Micro-LED微显示器件制程和光电子器件集成领域。 展开更多
关键词 硅基微米级发光二极管 巨量转移 硅基互补金属氧化物半导体 热压键合 选择性刻蚀
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