为解决碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,SiC MOSFET)硬开关故障(Hard Switch Fault,HSF)、负载故障(Fault Under Load,FUL)和过载故障(OverLoad fault,OL)的问题,本文提出...为解决碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,SiC MOSFET)硬开关故障(Hard Switch Fault,HSF)、负载故障(Fault Under Load,FUL)和过载故障(OverLoad fault,OL)的问题,本文提出了一种基于SiC MOSFET漏极电压和源极电压检测的过流保护方法(OverCurrent Protection method based on the Drain-voltage and Source-voltage Detection,DSD-OCP).该方法通过检测电路实时监控SiC MOSFET的漏极电压和源极电压来准确识别短路故障和过载故障,并利用驱动电路控制SiC MOSFET的开通和关断,从而实现快速短路保护和自适应过载保护,同时还集成软关断功能.基于0.5μm双极型-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体(Bipolar-CMOS-DMOS,BCD)工艺,设计了DSD-OCP电路并进行流片,芯片面积为2.8 mm^(2).采用研制的芯片搭建1200 V/80 mΩSiC MOSFET测试平台,并验证了DSD-OCP方法的有效性.实验结果表明,SiC MOSFET在DSD-OCP芯片保护下的HSF和FUL持续时间分别为88 ns和105 ns.在不同母线电压下,DSD-OCP芯片能够为SiC MOSFET提供自适应的过载保护.因DSD-OCP芯片具有软关断功能,SiC MOSFET在过流保护时的漏极电压过冲不超过110 V.展开更多
目的用文献计量学方法分析国内外过敏性紫癜(Henoch-Schönlein purpura,HSP)治疗药物的研究现状,总结治疗HSP的药物使用现状,以期为后续治疗HSP提供参考。方法借助中国知网(China national knowledge infrastructure,CNKI)、Web of...目的用文献计量学方法分析国内外过敏性紫癜(Henoch-Schönlein purpura,HSP)治疗药物的研究现状,总结治疗HSP的药物使用现状,以期为后续治疗HSP提供参考。方法借助中国知网(China national knowledge infrastructure,CNKI)、Web of Science、prism、CiteSpace、VOSviewer等文献计量学工具对2003-2023年国内外HSP相关文献的关键词、作者等信息进行分析和可视化展示。结果文献分析筛选后共纳入中文文献3425篇,英文文献2005篇。与HSP治疗药物相关的中文文献共纳入297篇,英文文献187篇。国内文献关键词出现频次较高的有儿童、治疗、环磷酰胺等,国外文献关键词出现频次较高的有“Henoch-Schönlein purpura”“children”“vasculitis”等。结论国内外对HSP领域的研究总体呈良好发展态势,但研究内容仍需不断更新和丰富。此外,中医与西医相结合将成为临床治疗HSP的新研究方向。展开更多
文摘为解决碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,SiC MOSFET)硬开关故障(Hard Switch Fault,HSF)、负载故障(Fault Under Load,FUL)和过载故障(OverLoad fault,OL)的问题,本文提出了一种基于SiC MOSFET漏极电压和源极电压检测的过流保护方法(OverCurrent Protection method based on the Drain-voltage and Source-voltage Detection,DSD-OCP).该方法通过检测电路实时监控SiC MOSFET的漏极电压和源极电压来准确识别短路故障和过载故障,并利用驱动电路控制SiC MOSFET的开通和关断,从而实现快速短路保护和自适应过载保护,同时还集成软关断功能.基于0.5μm双极型-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体(Bipolar-CMOS-DMOS,BCD)工艺,设计了DSD-OCP电路并进行流片,芯片面积为2.8 mm^(2).采用研制的芯片搭建1200 V/80 mΩSiC MOSFET测试平台,并验证了DSD-OCP方法的有效性.实验结果表明,SiC MOSFET在DSD-OCP芯片保护下的HSF和FUL持续时间分别为88 ns和105 ns.在不同母线电压下,DSD-OCP芯片能够为SiC MOSFET提供自适应的过载保护.因DSD-OCP芯片具有软关断功能,SiC MOSFET在过流保护时的漏极电压过冲不超过110 V.
文摘目的用文献计量学方法分析国内外过敏性紫癜(Henoch-Schönlein purpura,HSP)治疗药物的研究现状,总结治疗HSP的药物使用现状,以期为后续治疗HSP提供参考。方法借助中国知网(China national knowledge infrastructure,CNKI)、Web of Science、prism、CiteSpace、VOSviewer等文献计量学工具对2003-2023年国内外HSP相关文献的关键词、作者等信息进行分析和可视化展示。结果文献分析筛选后共纳入中文文献3425篇,英文文献2005篇。与HSP治疗药物相关的中文文献共纳入297篇,英文文献187篇。国内文献关键词出现频次较高的有儿童、治疗、环磷酰胺等,国外文献关键词出现频次较高的有“Henoch-Schönlein purpura”“children”“vasculitis”等。结论国内外对HSP领域的研究总体呈良好发展态势,但研究内容仍需不断更新和丰富。此外,中医与西医相结合将成为临床治疗HSP的新研究方向。
