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同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究 被引量:14
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作者 来冰 丁训民 +8 位作者 袁泽亮 周翔 廖良生 张胜坤 袁帅 侯晓远 陆尔东 徐彭寿 张新夷 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第7期543-547,共5页
首次利用同步辐射光电子能谱(SRPES)研究了铟锡氧化物(ITO)薄膜表面的化学状态.发现ITO表面的铟和锡分别具有多种价态.对比真空退火前后ITO样品的电阻率与透射率,结合对ITO导电机理的分析讨论。
关键词 铟锡氧化物 ITO SRPES 实验
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ECR等离子体对单晶硅的低温大面积表面处理 被引量:6
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作者 孙剑 吴嘉达 +3 位作者 钟晓霞 来冰 丁训民 李富铭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期1019-1023,共5页
利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .... 利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .结果表明 ,利用这种方法可以在低温条件下在硅表面获得均匀的大面积氮化硅和二氧化硅表层 . 展开更多
关键词 表面处理 ECR等离子体 单晶硅
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ECR等离子体对硅表面的低温大面积氮化 被引量:1
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作者 孙剑 吴嘉达 +3 位作者 钟晓霞 来冰 丁训民 李富铭 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第2期99-102,共4页
利用电子回旋共振微波放电氮等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化的探索 ,通过样品表征和等离子体成分探测 ,分析讨论了氮化机理。结果表明 ,这种方法可以用于硅表面的低温氮化处理 ,获得大面积的均匀氮化硅表层。
关键词 等离子体氮化 氮化硅 硅表面处理 薄膜制备
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β-GaS钝化的GaAs表面的光电子能谱
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作者 董阳 王康林 +3 位作者 丁训民 来冰 曹先安 侯晓远 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期1080-1085,共6页
在 Ga As表面淀积β- Ga S是一种可行的 Ga As表面钝化方法 .用光电子能谱研究了超薄Ga S淀积后的 Ga As表面 ,分析了表面成分 .并发现 Ga S的淀积能使 Ga As原有的表面能带弯曲减小 0 .4e V,这意味着表面费米能级钉扎在一定程度上得到... 在 Ga As表面淀积β- Ga S是一种可行的 Ga As表面钝化方法 .用光电子能谱研究了超薄Ga S淀积后的 Ga As表面 ,分析了表面成分 .并发现 Ga S的淀积能使 Ga As原有的表面能带弯曲减小 0 .4e V,这意味着表面费米能级钉扎在一定程度上得到消除 .给出了一个半定量的理论模型 ,来解释 Ga 展开更多
关键词 GAAS表面 光电子能谱 β-GaS钝化 砷化镓
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K/GaAs(100)表面的氮化
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作者 胡海天 来冰 +2 位作者 袁泽亮 丁训民 侯晓远 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期1041-1046,共6页
K吸附层的存在能促进GaAs(100)表面在室温下的氮化.光电发射测量为此提供了证据.在将K/GaAs(100)暴露于纯氮以后,价带和芯能级谱均会出现显著变化:功函数有一定程度回升,价带谱中显露N2p峰,Ga2p和A... K吸附层的存在能促进GaAs(100)表面在室温下的氮化.光电发射测量为此提供了证据.在将K/GaAs(100)暴露于纯氮以后,价带和芯能级谱均会出现显著变化:功函数有一定程度回升,价带谱中显露N2p峰,Ga2p和As2p芯能级谱中产生化学位移分量.就所研究的三种不同的K覆盖度(1/4,1/2和1ML)而言,1ML的那种显示了最强的促进作用. 展开更多
关键词 价带 芯能级谱 钾吸附层 砷化镓 表面氮化
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