采用电弧离子镀(AIP)技术在钛合金基体表面沉积制备了N iCrA lY涂层。通过SEM与能谱分析、XRD分析研究了真空热处理钛合金基体/N iCrA lY涂层界面显微组织的变化和元素扩散行为。结果表明:从650℃开始,N iCrA lY涂层和钛合金基体就有明...采用电弧离子镀(AIP)技术在钛合金基体表面沉积制备了N iCrA lY涂层。通过SEM与能谱分析、XRD分析研究了真空热处理钛合金基体/N iCrA lY涂层界面显微组织的变化和元素扩散行为。结果表明:从650℃开始,N iCrA lY涂层和钛合金基体就有明显的界面反应,随着温度的升高,界面分层并加厚,同时出现K irkendall空位带,导致涂层退化。N iCrA lY涂层在650℃真空热处理后发现析出γ-′N i3A l相,在1 050℃时发现只有CrTi4相。在750℃温度下主要发生了Ti,N i元素的扩散,Cr元素在870℃开始扩散并参与界面反应,当温度升高到950℃时,N i、Ti、A l、Cr各元素的扩散现象都很明显,N i元素在涂层聚集的现象消失。展开更多
文摘采用电弧离子镀(AIP)技术在钛合金基体表面沉积制备了N iCrA lY涂层。通过SEM与能谱分析、XRD分析研究了真空热处理钛合金基体/N iCrA lY涂层界面显微组织的变化和元素扩散行为。结果表明:从650℃开始,N iCrA lY涂层和钛合金基体就有明显的界面反应,随着温度的升高,界面分层并加厚,同时出现K irkendall空位带,导致涂层退化。N iCrA lY涂层在650℃真空热处理后发现析出γ-′N i3A l相,在1 050℃时发现只有CrTi4相。在750℃温度下主要发生了Ti,N i元素的扩散,Cr元素在870℃开始扩散并参与界面反应,当温度升高到950℃时,N i、Ti、A l、Cr各元素的扩散现象都很明显,N i元素在涂层聚集的现象消失。
