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多晶硅薄膜晶体管寻址的全色液晶显示器

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摘要用激光诱导非晶硅结晶,以450℃的最高加工温度制成了多晶硅薄膜晶体管。薄膜晶体管具有迁移率高(50cm^2/V·s)阈值电压低(2V)、关断电流低(10^(-12)A)和可靠性高的特性。同时也介绍了用这种多晶硅薄膜晶体管寻址的3.5英寸的全色液晶显示器。

作者魏荣根

出处《真空电子技术》北大核心 1992年第2期55-57,共3页 Vacuum Electronics

关键词薄膜晶体管液晶显示器多晶硅

分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]

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真空电子技术

1992年第2期

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