摘要
1 前言 SiO_2上的多晶硅被广泛应用于器件。过去,人们追求把多晶硅表面做得平坦,但我们根据日本电气公司渡边等人的论点,还需对表面形态进行控制,用于DRAM上的迭层电容器电极就是这种情况。随着器件尺寸的缩小,为确保电容器容量,必须扩大电容器的面积,因此,人们力求制作凹凸多晶硅(HSG多晶硅)。 然而我们知道,一旦将a—Si在超高真空中退火形成多晶硅,其形态就与以往采用的固相生长的形态不同,是颗粒形状,象蘑菇。
出处
《微细加工技术》
1992年第1期81-85,共5页
Microfabrication Technology
