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Influence of Inert Gas Pressure on Growing Rate of Nanocrystalline Silicon Film Prepared by Pulsed Laser Deposition 被引量:3

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出处 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2004年第1期201-202,共2页 中国物理快报(英文版)
  • 相关文献

参考文献8

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同被引文献8

引证文献3

二级引证文献11

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