SiC纳米粉体的高能球磨制备方法被引量：3

Trituration of Namometer Powder Silicon Carbide by High Energy Ball Milling

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摘要以工业SiC粉末为原料,用高能球磨机制备了SiC纳米粉。用扫描电镜、X射线衍射仪对球磨后的粉末进行了形貌观察和相结构分析,统计了SiC粉体尺寸随球磨时间的变化规律。结果表明,随着时间的延长,粉末逐渐细化至纳米级,可以细化到30nm左右,但球磨时间超过25h后粉末颗粒继续细化的速度明显放慢。

作者程秀揭晓华蔡莲淑谢光荣

机构地区广东工业大学

出处《新技术新工艺》北大核心 2003年第11期41-42,共2页 New Technology & New Process

基金广东省教育厅自然科学研究项目(010046)

关键词 SIC 纳米粉体高能球磨制备扫描电镜 X射线衍射仪 high energy ball milling,silicon carbide,namometer powder

分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程] TF123.111 [冶金工程—粉末冶金]

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