摘要
近些年来,由于全球能源需求的快速增长和对可持续发展的追求,太阳能作为最重要的可再生能源之一受到广泛关注。然而,传统硅基太阳能电池的低光电转化效率和高生产成本限制了其进一步普及。第三代宽禁带半导体材料(氮化镓GaN、碳化硅SiC等)凭借优良的物理特性和电子性能,被认为是提升太阳能电池效率的重要推动力之一。文章着重介绍第三代宽禁带半导体(SiC和GaN)的主要特点,并分析其在太阳能电池中的应用,最后主观概述其发展面临机遇与改进对策。
出处
《轻工标准与质量》
2026年第1期134-136,共3页
Standard & Quality of Light Industry
