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Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长及其缺陷分析

Crystal Growth of Cd_(0.9) Mn_(0.1)Te and Defect Analysis
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摘要 采用Bridgman法和ACRT B法生长了两根Cd0 9Mn0 1Te晶锭 (简称CMT B和CMT A)。采用光学金相显微镜和扫描电镜研究了这两种方法生长的晶体中出现的各种缺陷 ,并分析了其形成机理。采用JEOL 733电子探针测定了两根晶锭中Mn的分布。对比CMT B和CMT A两根晶锭 ,发现ACRT所产生的对流可提高Cd0 9Mn0 Cd 0 9 Mn 0 1 Te crystals were grown by both Bridgman and ACRT\|B methods. Using an optical microscope, a scanning electron microscope and a x\|ray powder diffractometer, the defects and their formation mechanisms were analyzed. Using a JEOL\|733 electron microprobe, Mn distribution was determined. It was found that ACRT convection could reduce the quantity of both dislocation and microcracks, and homogenous Mn distribute.
出处 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第4期14-19,共6页 Materials Science and Engineering
基金 国家自然科学基金 航空科学基金资助项目
关键词 Cd1-xMnxTe BRIDGMAN法 ACRT-B法 微裂纹 位错 晶体生长 单晶 镉锰碲化合物 半导体材料 缺陷 Cd 0 9 Mn 0 1 Te Bridgman ACRT\|B Microcrack dislocation
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参考文献1

二级参考文献1

  • 1《电子工业技术词典》编辑委员会,.电子工业技术词典[M]国防工业出版社,1977.

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