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半导体所等在二维半导体异质结研究中取得新进展

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摘要中科院半导体所李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的研究团队与其合作者，应用第一性原理计算，研究了二维MoS2／MoSe2异质结的结构和电子性质。

出处《中国科学院院刊》 2013年第6期798-798,共1页 Bulletin of Chinese Academy of Sciences

关键词半导体异质结二维第一性原理计算电子性质 MOS2 研究员中科院院士

分类号 O471 [理学—半导体物理]

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中国科学院院刊

2013年第6期

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