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GaAs晶体膜中弱耦合极化子的自陷能 被引量:1

Self - Trapping Energy of the Weak - Coupling Polaron in GaAs Crystal Slab
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摘要 本文采用Huybrechts线性组合算符和变分法相结合的方法,研究了极性晶体膜内电子-声子弱耦合系统的基态能量,得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能,对GaAs晶体计算了不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献。 The ground state energy of the system, which is the electron - phonons weak - coupling in a polar crystal slab, are studied by means of the linear combination operator and variational method. The change of the self - trapping energy of the polaron changing with the thickness and the coupling constants of the slab is derived. For GaAs crystal slab, the contributions of different branches phonon - electron interaction of the self - trapping energy of the polaron are calculated.
出处 《内蒙古民族师院学报(自然科学版)》 1999年第2期122-126,共5页
基金 内蒙自然科学基金
关键词 极性晶体膜 极化子 自陷能 砷化镓晶体膜 弱耦合 polar - crystal slab polaron self - trapping energy
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