Pd/Sb(Mn)薄膜的光学性质研究

下载PDF

导出

摘要本文系统地研究了用固相反应再生长法在Ｐ型ＧａＡｓ衬底上制备的Ｐｄ／Ｓｂ（Ｍｎ）薄膜的光学性质．通过对不同薄膜厚度、材料组分、退火温度和时间下的反射与透射率谱的研究表明，在近红外区存在一个较强的反射峰；当薄膜厚度为５０ｎｍ左右，退火温度在３００℃到３５０℃，钯与锑原子比为１∶１时，可以得到较大的反射和一定的透射，有可能用作垂直腔面发射半导体激光器的Ｐ型边谐振腔镜兼注入电极．

作者程磊赵一广吴克焦鹏飞陈娓兮

机构地区北京大学物理系

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期452-457,共6页 半导体学报（英文版）

基金国家自然科学基金

关键词制备砷化镓钯/锑(锰)薄膜光学性质

分类号 O484.41 [理学—固体物理] TN304.23 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

参考文献8

1Yu S F，IEEE J Quant Electron，1996年，32卷，7期，1168页
2Zhao Y G，IEEE J Quant Electron，1996年，32卷，11期，1950页
3Zhao Y G，IEEE J Quant Electron，1995年，31卷，9期，1668页
4Chen Weixi，Solid State Commun，1993年，88卷，6期，461页
5Han C C，Appl Phys Lett，1991年，58卷，15期，1617页
6Schubert E F，Appl Phys Lett，1990年，57卷，2期，117页
7Tu Liwei，Appl Phys Lett，1990年，57卷，20期，2045页
8Tai K，Appl Phys Lett，1989年，55卷，24期，2473页

1桂占吉,陈兰荪.农业生产中四组数据的Logistic模型的参数确定[J].生物数学学报,2015,30(1):142-146. 被引量：2
2Chunhui Li Ruixue Wei Yanmin Xu Ailing Sun Liuhe Wei.Synthesis of hexagonal and triangular Fe3O4 nanosheets via seed-mediated solvothermal growth[J].Nano Research,2014,7(4):536-543. 被引量：4
3徐锋,蒋大勇,曹雪,孙云刚,陈濛,刘芯宇.同质缓冲层温度对ZnO薄膜质量的影响[J].长春理工大学学报（自然科学版）,2012,35(1):128-130.
4李绍春,贾金锋,薛其坤.利用扫描隧道显微镜构建纳米结构[J].电子显微学报,2007,26(4):363-369. 被引量：2
5王冰,陈顺礼,杨吉军,廖家莉,杨远友,刘宁,唐军.笼状热电材料p型和n型Ba_8Ga_(16)Ge_(30)单晶之间载流子的调谐研究[J].四川大学学报（自然科学版）,2016,53(2):361-366. 被引量：2
6李绍春,贾金锋,薛其坤.利用大量原子的操纵构建纳米结构[J].中国科技论文在线,2007,2(4):243-247.
7石绍华,欧阳雨,李道勇,曹伟然.利用表面磁光克尔效应监测Ni薄膜生长的物相转变[J].物理实验,2012,32(8):30-33. 被引量：2
8张铁民,宁亚媛,缪国庆,符运良,傅军.制备大面积组分均匀的InP/In_(0.81)Ga_(0.19)As/InP器件结构材料[J].海南师范大学学报（自然科学版）,2012,25(3):279-282.
9周静,王琦,熊德平,蔡世伟,黄辉,黄永清,任晓敏.基于MOCVD的InP/GaAs异质外延生长[J].Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):190-192.
10李占国,刘国军,尤明慧,李林,李辉,冯明,李梅,高欣,李联合.Ga束流低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物的研究[J].光学学报,2011,31(10):153-157.

Journal of Semiconductors

1999年第6期

浏览历史

内容加载中请稍等...

Pd/Sb(Mn)薄膜的光学性质研究

参考文献8

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史