ZnO基短波长激光器若干关键技术取得突破

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摘要据中国光学光电子行业协会消息，由南京大学和中科院上海光学精密机械研究所共同承担的国家863计划课题“ZnO基短波长激光器若干关键技术研究”取得重要突。该课题组经过三年时间上千次的材料生长和工艺实验，在国际上首次研制成功ZnO基同质PN结发光器件（LED），在室温（29℃）下实现了蓝光、黄光发射。

作者汪道友（编译）

出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期209-209,共1页 High Power Laser and Particle Beams

关键词短波长激光器 ZNO 中国光学光电子行业协会上海光学精密机械研究所技术国家863计划南京大学工艺实验材料生长发光器件

分类号 TN248 [电子电信—物理电子学] TN304.21 [电子电信—物理电子学]

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1谢崇木.GaN薄膜技术的几点突破[J].微细加工技术,1999(1):1-9.
2郎佳红,顾彪,徐茵,秦福文.GaN基半导体材料研究进展[J].激光与光电子学进展,2003,40(3):45-49. 被引量：6
3863计划“ZnO基短波长激光器若干关键技术研究”取得重要突破[J].新材料产业,2006(2):82-82.
4W.KJ.日本开发波长为0.15nm的原子级激光器[J].军民两用技术与产品,2016,0(1):40-40.
5缪世群.ZnO薄膜的光谱及能级[J].南通工学院学报（自然科学版）,2003,2(4):25-28. 被引量：15
6日本开发世界最短波长的原子级激光器[J].中国光学,2016,9(1):180-180.
7薛书文.ZnO同质pn结发光二极管研究进展[J].半导体光电,2011,32(4):455-458.
8Hook.,SM,庄国良.以飞秒脉冲激励短波长台式激光器[J].强激光技术进展,1998,8(5):34-38.
9张耀宁,程祖海,库耕,李锋,朱松林,夏金安.硅镜热畸变研究[J].中国激光,1997,24(8):688-692. 被引量：9
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强激光与粒子束

2006年第2期

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