摘要
本文研究了注入硅离子对离子注入硼的反常瞬时扩散的影响,发现硅离子剂量远低于使晶格无序化必需的剂量,并且明显地减小随后注入的硼的反常瞬时扩散。但是,由于额外的硅注入使薄层电阻增大了。硅离子注入到被激活的硼层中,在远超过硅离子射程处引起附加反常扩散。在损伤较大的地方反常移动亦减小。根据退火时可以消除的点缺陷群的产生以及填隙型扩展缺陷的形成而导致高损伤区点缺陷湮没的观点可以解释这些影响。
出处
《半导体情报》
1989年第1期62-64,共3页
Semiconductor Information
