场效应管振荡器长期频漂分析

Analysis of Long-Term FrequencyDrift in FET Oscillators

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摘要本文分析了11千兆赫砷化镓场效应管介质谐振器稳频振荡器中观察到的长期频漂。该分析以建立器件的模型为基础进行的。分析中发现,对长期频漂起主要影响的是砷化镓场效应管的栅源沟道电容的分析结果与介质谐振器中观察到的变化趋向一致,而且理论与测量数据之间达到了很好的相关。这些观察结果普遍适用于以砷化镓场效应管作有源器件的所有振荡器。

作者 K.K.Agarwal C.Ho 张少时

机构地区 Rockwell International Corporation

出处《现代雷达》 CSCD 1989年第4期107-113,共7页 Modern Radar

关键词振荡器场效应管频漂分析

分类号 TN753.94 [电子电信—电路与系统]

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3荣炳麟,施恩泽.4-8GHz场效应管压控振荡器[J].固体电子学研究与进展,1990,10(2):199-199.
4徐立勤,谢宗浩.光控微波场效应管振荡器[J].微波与卫星通信,1997,6(2):52-56.
5杨红梅,张广场.一体化VCO混频器组件的研制[J].低温与超导,2014,42(7):80-83.

现代雷达

1989年第4期

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