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势阱离子+腔场系统中量子逻辑门的实现 被引量:1

Implementation of quantum logic gates via the interaction intrapped-ion cavity QED
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摘要 基于光腔中的势阱离子同时与外激光场和腔场发生相互作用的特性,我们提出了一种量子逻辑门的实现方案。在该方案中,量子逻辑门是以离子内态和腔态作为比特,而势阱离子的运动态作为辅助比特始终保持在基态。而且,没有采用Lamb-Dicke近似,因而更容易为实验所实现。 A new scheme is proposed to implement quantum logic gates such as single qubit rotation gate, two qubit controlled-phase gate and controlled-NOT gate, using the method based on a quantum system, which is composed of the one-dimensional trapped-ion motion and a single cavity field mode. In the present scheme, computation basis is composed by the internal ionic state and the cavity state by the connection of motional state. Furthermore, Lamb-Dicke limit is not required.
出处 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期751-756,共6页 Chinese Journal of Quantum Electronics
基金 973子项目(2001CB309300)资助课题
关键词 量子计算 量子逻辑门 势阱离子 腔场 Lamb-Dicke参数 quantum computation quantum logic gate trapped ions cavity field Lamb-Dicke limit
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献1

  • 1MONROE C MEEKHOFDM etal.A‘Schrodingercat'' superposition state of an atom [J].Science,1996,272:1130-1130.

共引文献1

同被引文献20

引证文献1

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